[发明专利]在玻璃基板上制备膜层的方法及其玻璃基板、膜系结构无效

专利信息
申请号: 201110199271.0 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102351438A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 徐日宏;詹达勇;郭永飞;罗高军 申请(专利权)人: 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36;C03C17/22;B32B9/04;B32B17/00
代理公司: 深圳市维邦知识产权事务所 44269 代理人: 黄莉
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 玻璃 基板上 制备 方法 及其 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示领域,尤其涉及一种在玻璃基板上制备膜层的方法、膜系结构及镀有膜层的玻璃基板。

背景技术

在目前的显示领域,各种显示器件层出不穷,如电视、电脑、户外显示屏、医疗仪器、摄像机、展示橱窗玻璃等。而采用保护屏对显示器件进行保护是一种常用手段,一般的保护屏在玻璃基板上采用抗反射增透(AR)膜层,但是这种保护屏耐磨及抗划伤能力弱,无法满足产品的质量要求。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种在玻璃基板上制备膜层的方法、膜系结构及镀有膜层的玻璃基板,以保证保护屏的质量,耐磨及超硬抗划伤能力强。

为了解决上述技术问题,本发明实施例提出了一种在玻璃基板上制备膜层的方法,包括:

在玻璃基板单面或双面采用磁控溅射法生成抗反射增透混合膜层,该抗反射增透混合膜层为低折射率膜层与高折射率膜层的层叠结构;

采用磁控溅射法在所述抗反射增透混合膜层另一面生成氮化碳化合物膜层。

相应地,本发明实施例还提供了一种在玻璃基板上制备膜层的方法,包括:在玻璃基板单面或双面采用磁控溅射法生成氮化碳化合物膜层。

相应地,本发明实施例还提供了一种膜系结构,包括抗反射增透混合膜层,以及生成于该抗反射增透膜层一面的氮化碳化合物膜层,所述抗反射增透混合膜层为低折射率膜层与高折射率膜层的层叠结构。

相应地,本发明实施例还提供了一种镀有膜层的玻璃基板,包括玻璃基板、采用磁控溅射法生成于该玻璃基板单面或双面的抗反射增透混合膜层,以及采用磁控溅射法在所述抗反射增透混合膜层另一面生成氮化碳化合物膜层,其中,所述抗反射增透混合膜层为低折射率膜层与高折射率膜层的层叠结构。

相应地,本发明实施例还提供了一种镀有膜层的玻璃基板,包括玻璃基板、采用磁控溅射法生成于该玻璃基板单面或双面的氮化碳化合物膜层。

本发明实施例通过提供一种在玻璃基板上制备膜层的方法、膜系结构及镀有膜层的玻璃基板,抗反射增透混合膜层氮化碳化合物膜层的采用保证了耐磨擦试验机1KG压力下来回10000次磨擦不掉膜,是常规膜层的2000次5倍以上的磨擦寿命;钥匙耐刮花测试10KG压力50次来回未出现划痕,铅笔硬度测度表面硬度达到9H以上,膜层具有耐刮伤耐磨及超硬抗划伤能力强,抗反射增透混合膜层保证了97%以上的高透过率特性以及抗摩擦抗划伤的超硬特性,延长了保护屏的使用寿命,使其更加符合触摸屏的应用;在膜系设计上借用抗反射增透混合膜层的二氧化硅膜层补偿玻璃基板成膜温度,增加了氮化碳化合物膜层的结合力,避免了由于衬底和膜料应力差较大而产生的破裂、剥落、成膜不均及硬度较低现象的产生;以真空度5.0E-3的高真空条件、100-160摄氏度的玻璃基板温度、采用中频电源、500-900瓦低溅射功率,以及氩气、氧气最佳比例的配合,作为二氧化硅膜层、五氧化二铌膜层或二氧化钛膜层的生成条件,并且,真空度5.0E-3的高真空条件、100-160摄氏度的玻璃基板温度、采用中频电源、500-900瓦低溅射功率,以氩气、氧气最佳比例的配合,作为氮化碳化合物膜层的生成条件,进一步避免了氮化碳化合物膜层破裂、剥落现象的产生。 

附图说明

图1是本发明实施例的镀有膜层的玻璃基板的第一种结构图。

图2是本发明实施例的镀有膜层的玻璃基板的第二种结构图。

图3是本发明实施例的镀有膜层的玻璃基板的第三种结构图。

图4是本发明实施例的镀有膜层的玻璃基板的第四种结构图。

图5是本发明实施例的镀有膜层的玻璃基板的第五种结构图。

具体实施方式

下面结合附图,对本发明实施例进行详细说明。

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