[发明专利]半导体封装以及使用其的移动设备有效

专利信息
申请号: 201110199379.X 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102339817A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 山田启寿;山崎尚;福田昌利;小盐康弘 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/498;H01L23/31
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 周春燕;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 以及 使用 移动 设备
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,具备:

插入式基板,其具备具有第一面和第二面的绝缘基材、形成于所述绝缘基材的所述第一面的第一布线层、形成于所述绝缘基材的所述第二面的第二布线层和以贯通所述绝缘基材的方式形成的多个通孔;

外部连接端子,其设置于具有所述第一布线层的所述插入式基板的第一面;

半导体芯片,其搭载于具有所述第二布线层的所述插入式基板的第二面上;

封装树脂层,其以封装所述半导体芯片的方式设置于所述插入式基板的所述第二面上;以及

导电性屏蔽层,其以覆盖所述封装树脂层和所述插入式基板的侧面的至少一部分的方式设置,

其中,所述多个通孔的一部分具有在所述插入式基板的侧面露出并在所述插入式基板的厚度方向被切断的切断面,并且

所述通孔的切断面与所述导电性屏蔽层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

多个所述通孔的切断面在所述插入式基板的每一边的侧面露出。

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中,

所述多个通孔的切断面的间隔小于等于4mm。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述通孔的切断面具有将所述插入式基板的厚度方向的所述通孔的一部分切断而成的形状。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述通孔的切断面具有将所述插入式基板的厚度方向的整个所述通孔切断而成的形状。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述第一布线层以及所述第二布线层的至少一方具有接地布线,所述切断了的通孔与所述接地布线电连接。

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述第二布线层具有接地布线,所述接地布线在所述插入式基板的侧面露出,并且与所述导电性屏蔽层电连接。

8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述通孔具有:形成于贯通所述绝缘基材的贯通孔的内面的导体层;以及填充于所述导体层的内侧的中空部的孔填埋材料,

所述通孔的切断面包含所述孔填埋材料的切断面。

9.根据权利要求8所述的半导体封装,其中,

所述孔填埋材料包含导电材料。

10.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述导电性屏蔽层包含与构成所述通孔的切断面的导电材料的接触面积电阻率小于等于300mΩ/mm2的导电材料。

11.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述导电性屏蔽层包含与一个所述通孔的切断面的接触界面的电阻值小于等于39Ω的导电材料。

12.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

在所述插入式基板的四角未配置所述切断了的通孔。

13.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述通孔具有:形成于贯通所述绝缘基材的贯通孔的内面的导体层;填充于所述导体层的内侧的中空部的孔填埋材料;以及与所述导体层和所述第一或第二布线层电连接的连接盘,

所述切断了的通孔的连接盘具有矩形形状。

14.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,

所述导电性屏蔽层具有标识标记,所述标识标记通过以所述封装树脂层的表面不露出的方式切削所述导电性屏蔽层的厚度方向的一部分而设置。

15.根据权利要求14所述的半导体封装,其中,

所述标识标记的形成部分具有与所述导电性屏蔽层的其他部分的表面不同的表面粗糙度。

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