[发明专利]半导体发光结构

权利要求书

1.一种半导体发光结构，其特征在于，包括：

第一导电性半导体层；

第二导电性半导体层；

发光层，配置于所述第一导电性半导体层与所述第二导电性半导体层之间；

第一电极，配置于所述第一导电性半导体层上，其中所述第一电极具有背对于所述第一导电性半导体层的第一上表面及连接所述第一上表面与所述第一导电性半导体层的第一侧表面；

绝缘层，覆盖部分所述第一导电性半导体层、所述第一电极的所述第一侧表面及所述第一电极的所述第一上表面的边缘，其中所述绝缘层具有第一开口，以暴露出所述第一电极的部分所述第一上表面，且所述绝缘层的材质为不含金属元素的化合物；以及

第一粘着层，配置于所述第一上表面的边缘与所述绝缘层之间，以接合所述第一上表面与所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一粘着层呈环状。

3.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述绝缘层的所述第一开口的内缘与所述第一粘着层的靠近所述第一上表面的中央的内缘实质上切齐。

4.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述绝缘层暴露出部分所述第一粘着层，且所述第一粘着层的靠近所述第一上表面的中央的内缘位于所述第一上表面的所述中央与所述绝缘层的所述第一开口的内缘之间。

5.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述绝缘层包覆所述第一粘着层，且所述绝缘层的所述第一开口的内缘位于所述第一上表面的中央与所述第一粘着层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一粘着层还配置于所述第一电极的所述第一侧表面与所述绝缘层的覆盖所述第一侧表面的部分之间，以接合所述第一侧表面与所述绝缘层。

7.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一电极包括由靠近所述第一导电性半导体层的一侧往远离所述第一导电性半导体层的一侧依序堆叠的多个金属层，且最靠近所述第一导电性半导体层的所述金属层为金属粘着层。

8.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，还包括：

第二电极，配置于所述第二导电性半导体层上，其中所述第二电极具有背对于所述第二导电性半导体层的第二上表面及连接所述第二上表面与所述第二导电性半导体层的第二侧表面，所述绝缘层覆盖部分所述第二导电性半导体层、所述第二电极的所述第二侧表面及所述第二电极的所述第二上表面的边缘，且所述绝缘层还具有第二开口，以暴露出所述第二电极的部分所述第二上表面；以及

第二粘着层，配置于所述第二上表面的边缘与所述绝缘层之间，以接合所述第二上表面与所述绝缘层。

9.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一开口的内径与所述第一电极的外径的比值大于0.2且小于1。

10.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一粘着层的材质包括钛、钼、铊、镍、铝、铬及钨的至少其一。

11.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一粘着层包括多个堆叠的子粘着层，且所述多个子粘着层的材料不相同。

12.一种半导体发光结构，其特征在于，包括：

第一导电性半导体层；

第二导电性半导体层；

发光层，配置于所述第一导电性半导体层与所述第二导电性半导体层之间；

第一电极，配置于所述第一导电性半导体层上，其中所述第一电极具有背对于所述第一导电性半导体层的第一上表面及连接所述第一上表面与所述第一导电性半导体层的第一侧表面；

绝缘层，覆盖部分所述第一导电性半导体层、所述第一电极的所述第一侧表面及所述第一电极的所述第一上表面的边缘，其中所述绝缘层具有第一开口，以暴露出所述第一电极的部分所述第一上表面，且所述绝缘层在所述第一电极的第一侧表面上的正投影涵盖所述第一电极的整个所述第一侧表面；以及

第一粘着层，配置于所述第一上表面的边缘与所述绝缘层之间，以接合所述第一上表面与所述绝缘层。

13.根据权利要求12所述的半导体发光结构，其特征在于，所述第一粘着层呈环状。