[发明专利]半导体发光结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光结构，尤其涉及一种半导体发光结构。

背景技术

随着光电技术的进步，发光二极管(light-emitting diode，LED)的制作与应用已逐渐趋于成熟。由于发光二极管具有低污染、低功率消耗、反应时间(response time)短、使用寿命长等优点，因此其已逐渐被应用在各式光源或照明的领域，而取代荧光灯管、白炽灯泡或卤素灯等传统发光元件。由于世界各国的环保意识逐渐高涨，在未来，发光二极管还可望成为主要照明光源，而取代目前荧光灯管的地位。

发光二极管的主要结构-发光二极管芯片-中，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层。此外，为了使发光二极管芯片能与外部电路电性连接，N型半导体层与P型半导体层上各配置有电极，例如是含有金的电极。电极可通过打线接合的方式或覆晶结合的方式与外部电路电性连接。再者，一种现有的发光二极管芯片的部分表面披覆有绝缘层，以避免芯片于遭到污染时产生短路的现象。

然而，一般而言，发光二极管芯片的电极的上表面或侧表面没有覆盖绝缘层，或者，即使一开始制造时电极的部分上表面或侧表面覆盖有绝缘层，但由于绝缘层与电极的上表面的粘性较差，往往在使用一段时间后，绝缘层的覆盖电极的部分就会脱落。如此一来，水气便容易入侵电极。一般而言，电极的底部是采用对于半导体层有较佳附着性的金属粘着层。当金属粘着层遇到水气及逆向电压时，会容易解离而迁移(migrate)至电极外，而使得金属粘着层逐渐消失，进而导致电极从半导体层上脱落。因此，现有发光二极管芯片容易因电极脱落而使使用寿命难以提升。

发明内容

本发明提供一种具有较长使用寿命的半导体发光结构。

本发明的一实施例提出一种半导体发光结构，包括第一导电性半导体层、第二导电性半导体层、发光层、第一电极、绝缘层及第一粘着层。发光层配置于第一导电性半导体层与第二导电性半导体层之间。第一电极配置于第一导电性半导体层上，其中第一电极具有背对于第一导电性半导体层的第一上表面及连接第一上表面与第一导电性半导体层的第一侧表面。绝缘层覆盖部分第一导电性半导体层、第一电极的第一侧表面及第一电极的第一上表面的边缘，其中绝缘层具有第一开口，以暴露出第一电极的部分第一上表面，且绝缘层的材质为不含金属元素的化合物。第一粘着层配置于第一上表面的边缘与绝缘层之间，以接合第一上表面与绝缘层。

本发明的另一实施例提出一种半导体发光结构，包括第一导电性半导体层、第二导电性半导体层、发光层、第一电极、绝缘层及第一粘着层。发光层配置于第一导电性半导体层与第二导电性半导体层之间。第一电极配置于第一导电性半导体层上，其中第一电极具有背对于第一导电性半导体层的第一上表面及连接第一上表面与第一导电性半导体层的第一侧表面。绝缘层覆盖部分第一导电性半导体层、第一电极的第一侧表面及第一电极的第一上表面的边缘，其中绝缘层具有第一开口，以暴露出第一电极的部分第一上表面，且绝缘层在第一电极的第一侧表面上的正投影涵盖第一电极的整个第一侧表面。第一粘着层配置于第一上表面的边缘与绝缘层之间，以接合第一上表面与绝缘层。

在本发明的实施例的半导体发光结构中，由于采用了第一粘着层以接合第一电极与绝缘层，因此绝缘层随着使用时间的增长并不容易从第一电极的第一上表面脱落，所以可以有效保护电极不受水气的入侵。如此一来，第一电极便不易从第一导电性半导体层上脱落，进而延长半导体发光结构的使用寿命。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的半导体发光结构的剖面示意图。

图2A为图1中的第一电极及其上的绝缘层的上视示意图。

图2B显示图2A的第一电极及其上的绝缘层的其他变化。

图3为本发明的第二实施例的半导体发光结构的剖面示意图。

图4为本发明的第三实施例的半导体发光结构的剖面示意图。

图5为本发明的第四实施例的半导体发光结构的剖面示意图。

图6为本发明的第五实施例的半导体发光结构的剖面示意图。

图7为本发明的第六实施例的半导体发光结构的剖面示意图。

图8为本发明的第七实施例的半导体发光结构的剖面示意图。

附图标记：

100、100a、100b、100c、100d、100e、100f：半导体发光结构

110、110e：基板

120：第一导电性半导体层