[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110201271.X | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102891175A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
位于衬底上的栅极结构；
位于所述栅极结构两侧的含锗半导体层；
在所述含锗半导体层之间外延生长的被掺杂的外延半导体层；
所述含锗半导体层与所述外延半导体层的底面位于同一水平面上；
其中，所述外延半导体层用作沟道区，并且含锗半导体层用作源漏延伸区。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述含锗半导体层为P型掺杂的锗外延层，其掺杂浓度为1E15-1E17cm-3。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述被掺杂的外延半导体层为被N型掺杂的锗外延层，其掺杂浓度为1E13-1E15cm-3。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述外延半导体层与所述含锗半导体层的厚度均为5～50nm。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为PMOS晶体管。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述被掺杂的外延半导体层上的高K栅极电介质层和金属栅极层。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述高K栅极电介质层在所述金属栅极层的底面和周围形成为U形。
8.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述外延半导体层与所述含锗半导体层的厚度均为约20nm。
9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
在半导体衬底上形成含锗半导体层；
在所述含锗半导体层上形成被图案化的叠层结构，所述叠层结构从下至上依次包括位于所述含锗半导体层上的栅极电介质层和栅极层；
在所述叠层结构的两侧形成侧壁间隔件和层间电介质层；
去除所述栅极电介质层和栅极层以暴露出下面的含锗半导体层；
去除所暴露的含锗半导体层以暴露出所述半导体衬底；
在所暴露的半导体衬底上外延生长被掺杂的外延半导体层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述含锗半导体层为P型掺杂的锗外延层，其掺杂浓度为1E15-1E17cm-3。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述外延半导体层为N型掺杂的锗外延层，其掺杂浓度为1E13-1E15cm-3。
12.如权利要求9-11中任意一项所述的方法，其特征在于，所述外延半导体层被外延生长为与所述含锗半导体层的厚度相同，所述厚度为5～50nm。
13.如权利要求9-11中任意一项所述的方法，其特征在于，在形成所述外延半导体层之后，进一步包括在所述外延半导体层上形成高K栅极电介质层和金属栅极层。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述外延半导体层与所述含锗半导体层的厚度均被形成为约20nm。
15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述去除所暴露的含锗半导体层部分暴露出衬底的至少一部分的步骤包括：利用反应性离子蚀刻方法来进行所述去除所述暴露的含锗半导体层的步骤部分。
16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述高K栅极电介质层在所述金属栅极层的底面和周围形成为U形。
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