[发明专利]一种单面抛光晶片的背面防腐蚀方法无效
| 申请号： | 201110201444.8 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102263024A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 郝彦杰;刘文森;赵波;李雪峰;刘丽杰 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单面 抛光 晶片 背面 腐蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单面抛光晶片的背面防腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括步骤S1：向衬底添加还原剂，所述还原剂覆盖到晶片背面，用于阻止抛光药液与晶片背面的化学反应。
2.如权利要求1所述的单面抛光晶片的背面防腐蚀方法，其特征在于，所述步骤S1之前还包括步骤S0：用去离子水将工作盘上的衬底浸湿。
3.如权利要求1或2所述的单面抛光晶片的背面防腐蚀方法，其特征在于，所述方法还包括，S2：将晶片从卡塞中取出放入衬底上，S3：将工作盘吸附在抛光机升降头上，S4：降下升降头，在抛光药液的共同作用下对晶片开始抛光，S5：抬起升降头卸下工作盘，S6：卸下晶片并装入卡塞中。
4.如权利要求3所述的单面抛光晶片的背面防腐蚀方法，其特征在于，所述方法还包括，S7：将卡塞中晶片甩干，S8：检查晶片背面是否出现背面腐蚀印迹。
5.如权利要求1所述的单面抛光晶片的背面防腐蚀方法，其特征在于，所述抛光药液的成分包括次氯酸根离子。
6.如权利要求5所述的单面抛光晶片的背面防腐蚀方法，其特征在于，所述还原剂的成分包括硫代硫酸根离子、亚硫酸根离子、硫离子、硫氢根离子或亚硫酸氢根离子中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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