[发明专利]一种单面抛光晶片的背面防腐蚀方法无效

申请号：	201110201444.8	申请日：	2011-07-18
公开（公告）号：	CN102263024A	公开（公告）日：	2011-11-30
发明（设计）人：	郝彦杰;刘文森;赵波;李雪峰;刘丽杰	申请（专利权）人：	北京通美晶体技术有限公司
主分类号：	H01L21/304	分类号：	H01L21/304;H01L21/02
代理公司：	北京路浩知识产权代理有限公司 11002	代理人：	韩国胜;王莹
地址：	101113 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种单面抛光晶片背面腐蚀方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及晶片加工技术领域，特别是涉及单面抛光晶片的背面防腐蚀方法。

背景技术

在使用衬底对晶片进行单面粗抛和精抛过程中，不可避免的会产生一定比例的背面腐蚀印迹，而腐蚀的程度直接决定了修复需要的掉量(一般都在15um以上)，这就对晶片抛光过程产生了严重影响，如果背面腐蚀严重，很可能造成批量报废。现有技术中单面抛光晶片的背面腐蚀产生原因，结合图1及图2，图1及图2中为对晶片3抛光的抛光装置结构示意图。工作盘1用于装卸或粘贴衬底2，工作盘1的材质为铝或陶瓷等。衬底2粘贴在工作盘1上，抛光时起到吸附及固定晶片3的作用。玻璃纤维4，粘贴在衬底2上，抛光时防止晶片3由于与衬垫5摩擦力造成跑片和碎片。衬垫5为贴在大不锈钢盘上的PU布，在抛光时直接与晶片3接触，起到承载抛光药液7和对晶片3进行物理磨削的作用。供药系统6用于抛光系统的抛光药液7的供给。按照抛光药液7的成分不同及衬垫5的不同，分为粗抛、精抛、半精抛等。工作过程为，升降头10带动工作盘1整体降下，压在衬垫5上并施加一定压力。此时，由于衬底2是具有一定弹性的，且是孔洞结构，使其吸附的去离子水被挤出，从而将晶片3紧紧地吸附在衬底2上使之固定。以保证晶片3不会在设备正常转动时发生跑片而造成碎片。但由于衬底2是孔洞结构，当正常抛光时，吸附层一开始是正常去离子水。但是在抛光过程中，抛光药液7会充斥在晶片3边缘部分。由于渗透作用，会渐渐进入到晶片3背面边缘部分。进而对晶片3的背面产生腐蚀作用，造成单面抛光晶片的背面腐蚀。

现有技术都是通过改变其加工方法(如减少抛光时间等)或增加保护膜(如在抛光晶片的背面贴附保护膜)的方法，以达到晶片背面与药液隔绝的作用，从而彻底杜绝产生晶体背面腐蚀，但效率低且成本高。虽然针对这种缺陷的消除率可达到100％，但是投入较大，且会造成其他类缺陷的上升，对于整体合格率并没有明显贡献，也没有成本和效率优势。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种方法，可明显减少晶片在单面抛光过程中背面腐蚀的比例，又要保证生产效率及生产成本方面不受影响。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供一种单面抛光晶片的背面防腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括步骤S1：向衬底添加还原剂，所述还原剂覆盖到晶片背面，用于阻止抛光药液与晶片背面的化学反应。

其中，所述步骤S1之前还包括步骤S0：用去离子水将工作盘上的衬底浸湿。

其中，所述方法还包括，S2：将晶片从卡塞中取出放入衬底上，S3：将工作盘吸附在抛光机升降头上，S4：降下升降头，在抛光药液的共同作用下对晶片开始抛光，S5：抬起升降头卸下工作盘，S6：卸下晶片并装入卡塞中。

其中，所述方法还包括，S7：将卡塞中晶片甩干，S8：检查晶片背面是否出现背面腐蚀印迹。

其中，所述抛光药液的成分包括次氯酸根离子。

其中，所述还原剂的成分包括硫代硫酸根离子、亚硫酸根离子、硫离子、硫氢根离子或亚硫酸氢根离子中的一种。

(三)有益效果

上述技术方案所提供的单面抛光晶片的背面防腐蚀方法中，通过采用步骤S1：向衬底添加还原剂，所述还原剂覆盖到晶片背面，用于阻止抛光药液与晶片背面的化学反应。本发明提供的方法既可以明显减少晶片在单面抛光过程中背面腐蚀的比例，又可以保证生产效率及生产成本方面不受影响。