[发明专利]ITO银浆走线的制作方法无效
| 申请号： | 201110202545.7 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102221936A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 蔡汉业;吕一帆 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 516600 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 银浆走线 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种ITO银浆走线的制作方法，其特征在于，包括：
丝印银浆，在TIO上构成整片银浆；
固化所述丝印后的整片银浆；
对所述固化后的整片银浆执行激光干刻，获取银浆走线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行激光干刻，获取预设宽度的银浆走线的具体过程包括：
依据预设的银浆走线图示，利用激光干刻的高温气化多余的银浆；
获取对应所述银浆走线图示中银浆走线。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述银浆走线的宽度的范围包括：30微米～50微米。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，各个所述银浆走线之间的间距的范围包括：30微米～50微米。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述银浆走线的宽度为40微米；所述银浆走线的间距为30微米。
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