[发明专利]ITO银浆走线的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及触摸屏制造领域，更具体的说，是涉及一种ITO(铟锡氧化物半导体)银浆走线的制作方法。

背景技术

目前，在传统的触摸屏的设计过程中，触摸屏的下方一般都设置有一层透明特殊金属导电物质，该金属导电物质用于侦测用户手指或触点触摸时的电容变化。该透明特殊金属导电物质的材料主要为ITO(铟锡氧化物半导体)导电膜。

在触摸屏的设计过程中，该ITO导电膜与收集信号并进行处理的电路相连，而该电路所占的空间与触摸屏屏幕的边框宽度具有直接关系，即其是构成限制触摸屏屏幕边框的主要因素。因此，在当前要求触摸屏窄边化设计，即要求边框的设计越小越好的前提下，需要制作更细的电路走线。

但是，在现有技术中，对于与ITO导电膜连接的电路走线一般采用丝印技术进行。针对触摸屏的ITO丝印走线的工艺流程仅为：先进行产品进行丝印银浆走线，然后再对丝印的银浆走线进行固化，从而构成与ITO导电膜相连的电路。通过现有技术的方法，其所能达到的银浆走线的宽度一般为50um(微米)，不能满足触摸屏窄边化设计的要求，无法降低触摸屏的边框厚度或宽度，以及摆脱宽边框的束缚，影响触摸屏的外观。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种ITO银浆走线的制作方法，以克服现有技术中所采用的丝印走线方式无法降低银浆走线的宽度，造成无法窄化或降低触摸屏边框厚度的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种ITO银浆走线的制作方法，包括：

丝印银浆，在TIO上构成整片银浆；

固化所述丝印后的整片银浆；

对所述固化后的整片银浆执行激光干刻，获取银浆走线。

优选地，所述执行激光干刻，获取预设宽度的银浆走线的具体过程包括：

依据预设的银浆走线图示，利用激光干刻的高温气化多余的银浆；

获取对应所述银浆走线图示中银浆走线。

优选地，所述银浆走线的宽度的范围包括：30微米～50微米；

优选地，各个所述银浆走线之间的间距的范围包括：30微米～50微米。

优选地，所述银浆走线的宽度为40微米；所述银浆走线的间距为30微米。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开了一种ITO银浆走线的制作方法，通过使用丝印构成整片的银浆后，再使用激光干刻制作出预设宽度的银浆走线，通过获取较细的银浆走线构成位于触摸屏屏幕边框处的电路走线，能够实现满足触摸屏对于窄化边框的要求，减小触摸屏边框宽度或厚度的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例公开的一种ITO银浆走线的制作方法的工艺流程图；

图2为采用本发明实施例公开的方法制作的触摸屏的边框宽度与现有技术中的触摸屏的边框宽度对比图示。

具体实施方式

为了引用和清楚起见，下文中使用的技术名词的说明、简写或缩写总结如下：

ITO：铟锡氧化物半导体。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

由背景技术可知，现有技术直接采用丝印的方式进行银浆走线的制作，其所能达到的银浆走线的最窄的宽度一般为50um(微米)，不能满足触摸屏窄边化设计的要求，无法降低触摸屏的边框厚度，以及摆脱宽边框的束缚，影响触摸屏的外观。

因此，本发明公开了一种ITO银浆走线的制作方式，通过使用丝印构成整片的银浆后，再使用激光干刻制作出预设宽度的银浆走线，通过获取较细的银浆走线构成位于触摸屏屏幕边框处的电路走线，能够实现满足触摸屏对于窄化边框的要求，减小触摸屏边框宽度或厚度的目的。具体过程通过以下内容进行详细说明。

请参阅附图1，为本发明公开一种ITO银浆走线的制作方式的流程图，主要包括以下步骤：

步骤S101，丝印银浆，在TIO上构成整片银浆。

步骤S102，固化所述丝印后的整片银浆。

步骤S103，对所述固化后的整片银浆执行激光干刻，获取银浆走线。