[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

权利要求书

1.一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，

所述倒装芯片型半导体背面用膜包含在基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量为70％重量份-95％重量份范围内的量的无机填料。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在2μm-200μm范围内的厚度。

3.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述半导体元件具有在20μm-300μm范围内的厚度。

4.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述半导体元件具有在20μm-300μm范围内的厚度。

5.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：

切割带和在所述切割带上层压的根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，

其中所述切割带包括基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层，并且所述倒装芯片型半导体背面用膜层压在所述压敏粘合剂层上。

6.一种使用根据权利要求5所述的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法，所述方法包括：

将半导体晶片粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上，

切割所述半导体晶片以形成半导体元件，

将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和

将所述半导体元件倒装芯片连接至被粘物上。

7.根据权利要求6所述的生产半导体器件的方法，其中所述倒装芯片连接包括将包封树脂填充入所述被粘物与倒装芯片接合至所述被粘物上的所述半导体元件之间的间隙中，随后热固化所述包封树脂。

8.一种倒装芯片型半导体器件，其通过根据权利要求6所述的方法制造。