[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面并提高其强度等的目的。此外，本发明涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和倒装芯片型半导体器件。

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装体，已经广泛地利用其中借助于倒装芯片接合将半导体元件例如半导体芯片安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可能存在半导体芯片的背面由保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至10)。

专利文献1：JP-A-2008-166451

专利文献2：JP-A-2008-006386

专利文献3：JP-A-2007-261035

专利文献4：JP-A-2007-250970

专利文献5：JP-A-2007-158026

专利文献6：JP-A-2004-221169

专利文献7：JP-A-2004-214288

专利文献8：JP-A-2004-142430

专利文献9：JP-A-2004-072108

专利文献10：JP-A-2004-063551

然而，用保护膜保护半导体芯片背面需要将保护膜粘贴至在切割步骤中获得的半导体芯片的背面的额外步骤。结果，处理步骤数量增加以及生产成本由此增加。此外，近年来朝向薄型化的趋势导致半导体芯片有时在拾取半导体芯片的步骤中被损坏。因而，为了提高其机械强度的目的，要求增强半导体晶片和半导体芯片直到拾取步骤。特别地，在某些情况下，半导体芯片的薄型化可能会在半导体芯片上产生翘曲，因此需要抑制或防止翘曲的产生。

发明内容

考虑到前述问题已经做出本发明并且其目的是提供一种可以抑制或防止在倒装芯片连接至被粘物的半导体元件上产生翘曲(warp)的倒装芯片型半导体背面用膜，和一种晶片背面用切割带集成膜。

此外，本发明的另一个目的是提供生产半导体器件的方法，该方法能够将半导体元件倒装芯片连接至被粘物上，同时抑制翘曲的产生，结果，可以改进生产率。

为了解决前述的现有技术问题，本发明人已进行了广泛和深入的研究。结果，已发现倒装芯片连接至被粘物的半导体上产生的翘曲可以通过在倒装芯片型半导体背面用膜中含有指定量或更多的无机填料来减少，由此导致完成本发明。

即，本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。

倒装芯片安装中，通常不使用用于封装整个半导体封装的成型树脂，仅用称作底充胶的包封树脂封装被粘物和半导体元件之间凸块连接部分。因此，半导体元件的背面是裸露的。例如，在包封树脂热固化时，由于其固化和收缩而施加应力至半导体元件，该应力导致有时在半导体元件上产生翘曲。尤其是，在厚度为300μm以下的薄半导体元件中(进一步，厚度为200μm以下)可明显产生翘曲。

当本发明的倒装芯片型半导体背面用膜形成于半导体元件背面时，该膜发挥保护倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的功能。此外，在本发明的倒装芯片型半导体背面用膜中，由于基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量包含70重量％以上的无机填料，该膜的弹性贮能模量相当高。结果，在包封树脂热固化时产生的半导体元件的翘曲可以有效地得以抑制或防止。此外，通过控制无机填料的含量至95重量％以下，可以赋予该膜合适地挠性。另外，半导体元件背面是指与在其上形成电路的面相对的面。

倒装芯片型半导体背面用膜优选具有在2μm-200μm范围内的厚度。通过控制厚度至2μm以上，可以改进膜的机械强度以及可以取保良好的自支撑性(self-supporting property)。另一方面，通过控制厚度至200μm以下，由倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件构成的半导体器件可以薄型化。

半导体元件优选具有在20μm-300μm范围内的厚度。