[发明专利]校准标记及制造方法

权利要求书

1.一种校准标记，适用于集成电路制造的铜制程，其特征在于，包括：

一背景样式，位于一第一介电层内，其中所述背景样式由金属铜层所组成，并且所述背景样式的表面覆盖一第二介电层；以及

一标记主体样式，配置于所述第二介电层上，并位于所述背景样式涵盖区域的上方，其中，所述校准标记主体的材质为金属铝或铝铜合金所组成。

2.如权利要求1所述的校准标记，其特征在于，所述背景样式为第一介电层中挖出的一凹槽区域，将铜晶种植入后经由电镀与化学机械研磨所形成。

3.如权利要求1所述的校准标记，其特征在于，所述标记主体样式为十字形状、工字型或T字型。

4.如权利要求1所述的校准标记，其特征在于，所述金属铜层为整片式所组成，或所述金属铜层以矩形方式形成的方阵排列所组成。

5.一种校准标记，适用于集成电路制造的铜制程，其特征在于，包括：

一标记主体样式，由金属铜层所组成且位于一第一介电层，并且所述标记主体样式的表面覆盖一第二介电层；以及

一背景样式，配置于所述第二介电层上，且位于所述标记主体样式的上方，其中所述背景样式为金属铝或铝铜合金所组成。

6.如权利要求5所述的校准标记，其特征在于，所述背景样式具有一孔洞，位于所述标记主体样式所涵盖区域的上方。

7.如权利要求5所述的校准标记，其特征在于，所述标记主体样式的形状为十字形状、工字型或T字型。

8.如权利要求5所述的校准标记，其特征在于，所述金属铜层为整片式或者以矩形形成的方阵排列。

9.如权利要求5所述的校准标记，其特征在于，所述主体样式为第一介电层中挖出的一凹槽区域，用以将铜晶种植入后所形成。

10.一种校准标记制造方法，适用于集成电路制造的铜制程，其特征在于，包括：

提供一基底，用以形成校准标记结构；

在所述基底上形成一金属铜层以及环绕其四周的一第一介电层，并且所述金属铜层构成一背景样式；

在所述第一介电层与该金属铜层上方形成一第二介电层；以及

在所述第二介电层上方配置一标记主体样式，所述标记主体样式位于所述背景样式所涵盖区域的上方，其中，所述校准标记主体样式为金属铝或铝铜合金所组成。

11.如权利要求10所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述金属铜层为所述第一介电层中挖出一凹槽区域，将铜晶种植入后经由电镀与化学机械研磨所形成。

12.如权利要求10所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述标记主体样式的形状为十字形状、工字型或T字型。

13.如权利要求10所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述金属铜层为整片式所组成，或所述金属铜层以矩形方式形成的方阵排列所组成。

14.一种校准标记制造方法，适用于集成电路制造的铜制程，其特征在于，包括：

提供一基底，用以形成校准标记结构；

在所述基底上形成一金属铜层以及环绕其四周的一第一介电层，并且所述金属铜层构成一标记主体样式；

在所述第一介电层与所述金属铜层上方形成一第二介电层；以及

在所述第二介电层上方配置一背景样式，所述背景样式位于所述标记主体样式的上方，其中，所述背景样式为金属铝或铝铜合金所组成。

15.如权利要求14所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述背景样式具有一孔洞，且位于所述标记主体样式所涵盖区域的上方。

16.如权利要求14所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述标记主体样式的形状为十字形状、工字型或T字型。

17.如权利要求14所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述金属铜层为整片式或者以矩形形成的方阵排列。

18.如权利要求14所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述主体样式为第一介电层中挖出的一凹槽区域，用以将铜晶种植入后所形成。