[发明专利]涂敷处理方法、程序、计算机存储介质和涂敷处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理方法、程序、计算机存储介质和涂敷处理装置。

背景技术

在例如半导体装置的制造工序中的光刻工序中，例如在半导体晶片(以下称晶片)上顺序实施涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将该抗蚀剂膜曝光为规定的图案的曝光处理和将被曝光的抗蚀剂膜显影的显影处理等，而在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。

在上述的抗蚀剂涂敷处理中，从喷嘴向旋转中的晶片的中心部供给抗蚀剂液，由离心力使抗蚀剂液在晶片上扩散，由此，在晶片上涂敷抗蚀剂液，这种所谓的旋转涂敷法多被使用。实施这样的抗蚀剂涂敷的时候，有必要保持高面内均匀性地将抗蚀剂液涂敷在晶片上。此外旋转涂敷法，向晶片上供给的抗蚀剂液的大部分被甩开，而且由于抗蚀剂液是高价的，所以使向晶片上的抗蚀剂液的供给量减少也是重要的。

在这样的旋转涂敷法中，作为使抗蚀剂液少量且均匀地涂敷的方法，提出了下面的从第一工序实施到第三工序的涂敷处理方法。首先，在第一工序中，向以高速的第一转速旋转中的晶片的中心部供给抗蚀剂液，使抗蚀剂液在晶片上扩散。在该第一工序中，由于给晶片上供给的抗蚀剂液是少量的，所以抗蚀剂液不足以扩散到晶片的端部。接着，在第二工序中，使晶片的旋转暂且减小到第二转速，并提高晶片上的抗蚀剂液的流动性，继续实施第一工序中抗蚀剂液的供给。之后，停止第二工序中的抗蚀剂液的供给后，在第三工序中，使晶片的旋转加速到第三旋转，使抗蚀剂液在晶片的整个表面扩散并且实施扩散后的抗蚀剂液的干燥，在晶片上涂敷均匀膜厚的抗蚀剂液(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本特开2008-71960号公报

发明内容

然而，本发明者们了解到，在使用上述现有的方法的时候，进一步减少抗蚀剂液的供给量时面内均匀性降低，特别是在基板的外周边部的抗蚀剂液的膜厚的降低是显著的。根据本发明者们针对这点的调查，为了使用上述方法使抗蚀剂液均匀地涂敷到晶片端部，例如直径300mm的晶片的情况下，供给的抗蚀剂液有必要是0.5ml(毫升)的程度，供给的抗蚀剂液的量例如为一半0.25ml时，确认了在外周边部的抗蚀剂液的膜厚的降低。由此，在现有的方法中，为了在晶片面内均匀地涂敷抗蚀剂液，能减少的抗蚀剂液的供给量是有界限的，不能抑制为比规定的值更少量。

本发明是鉴于这点而做出的，目的是在基板上涂敷涂敷液时，将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。

为了达成上述目的，本发明是在基板上涂敷涂敷液的方法，其特征在于，包括：使基板以第一转速旋转的第一工序；之后，使基板的旋转减速，使基板以比第一转速慢的第二转速旋转的第二工序；之后，使基板的旋转加速，使基板以比第二转速快且比第一转速慢的第三转速旋转的第三工序；之后，使基板的旋转减速，使基板以比第三转速慢的第四转速旋转的第四工序；之后，使基板的旋转加速，使基板以比第四转速快的第五转速旋转的第五工序，向基板中心部的涂敷液的供给从上述第一工序实施到上述第二工序的中途，或者在上述第一工序中连续实施，上述第四转速超过0rpm并在500rpm以下。

发明者们专心调查后确认，使抗蚀剂液的供给量为现有的一半程度时，由于在第三工序中抗蚀剂液向基板的外周扩散过程中不断干燥且流动性降低，所以即使抗蚀剂液到达基板外周的端部也是原样干燥，由此在外周边部产生抗蚀剂液的膜厚的降低。

而且，发明者们进一步调查后判断，在第三工序中抗蚀剂液到达基板端部的时候使基板的旋转减速，以比第三转速慢的超过0rpm并在500rpm以下的转速旋转，由此抑制抗蚀剂液的干燥并且使基板中心部的抗蚀剂液向基板的外周扩散，即能在基板面内调整基板的中心部与基板的外周部之间膜厚的平衡。因而知道，通过以第三转速旋转且抗蚀剂液到达基板的端部后以第四转速旋转，即使在将抗蚀剂液的供给量抑制为比现有的少量时，也能在外周边部不发生抗蚀剂液的膜厚的降低地涂敷涂敷液，能在基板面内均匀地涂敷涂敷液。