[发明专利]一种抑制CMOS短沟道效应的方法无效
| 申请号： | 201110206500.7 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102427063A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;毛刚;陈玉文;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 cmos 沟道 效应 方法 | ||
1.一种抑制CMOS短沟道效应的方法，采用后栅极高介电常数金属栅工艺制备的CMOS结构至少包含一个第一半导体结构和一个第二半导体结构，且在第一、第二半导体结构各自所包含的栅槽中均填充有样本栅，对样本栅进行回蚀后，在栅槽的底部保留薄氧化层，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，于CMOS结构上旋涂光刻胶，曝光、显影后去除第一半导体结构区域上的光刻胶，形成第一光阻；
步骤S2，于从第一光阻中暴露的栅槽处进行角度倾斜离子注入工艺；
步骤S3，去除第一光阻，于CMOS结构上再次旋涂光刻胶，曝光、显影后去除第二半导体结构区域上的光刻胶，形成第二光阻；
步骤S4，于从第二光阻中暴露的栅槽处进行角度倾斜离子注入工艺；
步骤S5，去除第二光阻，激活上述注入的离子。
2.根据权利要求1所述的抑制CMOS短沟道效应的方法，其特征在于，所述第一半导体结构为NMOS结构，所述第二半导体结构为PMOS结构。
3.根据权利要求1所述的抑制CMOS短沟道效应的方法，其特征在于，所述步骤S2、S4中进行角度倾斜离子注入工艺至少包含有对第一、二半导体结构临近其漏极的沟道区域进行离子注入工艺，以在位于第一、二半导体栅槽下方临近其漏极处的沟道中形成埋层重掺杂区域。
4.根据权利要求1所述的抑制CMOS短沟道效应的方法，其特征在于，所述步骤S2中进行角度倾斜离子注入工艺中注入的离子为以B、BF2、BF、In元素为基的离子。
5.根据权利要求1所述的抑制CMOS短沟道效应的方法，其特征在于，所述步骤S4中进行角度倾斜离子注入工艺中注入的离子为以P、As为基的离子。
6.根据权利要求1所述的抑制CMOS短沟道效应的方法，其特征在于，所述步骤S5中通过采用快速热处理、峰值退火或闪光退火工艺激活上述注入的离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110206500.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用硫代秋水仙碱衍生物进行联合治疗
- 下一篇：一种防伪售货机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
