[发明专利]一种用于CCD探测器制冷装置的温度控制系统

权利要求书

1.一种用于CCD探测器制冷装置的温度控制系统，所述CCD探测器制冷装置包括直流电源和半导体制冷片，所述直流电源向所述半导体制冷片通入直流电以利用所述半导体制冷片的冷面对CCD探测器进行冷却，其特征在于，所述温度控制系统用于对所述半导体制冷片的冷面的温度进行控制，所述温度控制系统包括：

温度传感器，所述温度传感器与所述半导体制冷片的冷面相连，用于实时地检测所述半导体制冷片的冷面的当前温度并输出温度指示信号；

信号处理模块，所述信号处理模块与所述温度传感器相连，用于对所述温度指示信号进行放大，并将放大后的温度指示信号进行模拟-数字转换以得到温度指示数字信号；

控制模块，所述控制模块与所述信号处理模块相连，用于根据所述温度指示数字信号读取所述半导体制冷片的冷面的当前温度，并将所述半导体制冷片的冷面的当前温度与目标温度进行分析以得到开关控制信号；

执行机构，所述执行机构位于所述直流电源和所述半导体制冷片之间，且所述执行机构与所述控制模块相连，用于在所述开关控制信号的驱动下选择性地将所述直流电源输出的直流电输送至所述半导体制冷片以调节所述半导体制冷片的冷面的温度位于预设温度区间内，其中所述预设温度区间为起始温度比所述目标温度降低第一预设温度，所述预设温度区间的结束温度比所述目标温度升高所述第一预设温度。

2.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述第一预设温度为0.5摄氏度。

3.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述执行机构选择性地将所述直流电源输出的直流电输送至所述半导体制冷片以调节所述半导体制冷片的冷面的温度为所述目标温度。

4.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述控制模块设置所述目标温度位于第三预设温度和第四预设温度之间，其中所述第三预设温度为所述CCD探测器制冷装置所在环境的室内温度，所述第四预设温度为与所述第三预设温度相差第二预设温度值。

5.如权利要求4所述的温度控制系统，其特征在于，所述第二预设温度值为40摄氏度。

6.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述信号处理模块包括：

放大单元，所述放大单元用于对来自所述温度传感器的所述温度指示信号进行放大处理；和

模拟-数字转换单元，所述模拟-数字转换单元与所述放大单元相连，用于将由所述放大单元放大后的温度指示信号转换为数字信号，输出温度指示数字信号。

7.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述控制模块将所述半导体制冷片的冷面的当前温度与所述目标温度进行比较以得到所述当前温度与所述目标温度的差值，对所述当前温度与所述目标温度的差值进行分析处理，生成所述开关控制信号。

8.如权利要求7所述的温度控制系统，其特征在于，所述控制模块为单片机。

9.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述执行机构为继电器，所述继电器在所述开关控制信号的驱动下闭合或断开以选择性地将所述直流电源输出的直流电输送至所述半导体制冷片。

10.如权利要求9所述的温度控制系统，其特征在于，当所述执行机构为继电器时，所述控制模块输出的所述开关控制信号为脉冲宽度调制PWM信号。

11.如权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述执行机构为MOS管，所述MOS管在所述开关控制信号的驱动下输出控制电流以选择性地将所述直流电源输出的直流电输送至所述半导体制冷片。