[发明专利]消除接触孔工艺中桥接的方法

权利要求书

1.一种消除接触孔工艺中桥接的方法，其特征在于，包括：

对高密度等离子体化学气相淀积设备的腔室进行清洁，该清洁工艺包括设定清洁菜单，在上述清洁菜单中，设置多步的适应性保护薄膜沉积工艺，用以在所述腔室的侧壁上形成叠层适应性保护薄膜，该叠层适应性保护薄膜保护所述腔室的侧壁，使所述腔室的侧壁在高密度等离子体化学气相淀积工艺中不会受到等离子体的损伤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述适应性保护薄膜的材料为SiO₂、Si₃N₄、SiON中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述叠层适应性保护薄膜为SiO₂、Si₃N₄、SiON薄膜中的一种或多种形成的叠层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述叠层适应性保护薄膜为多层SiO₂形成的叠层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述叠层适应性保护薄膜为多层富硅SiO₂形成的叠层，富硅SiO₂的折射率大于1.5。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述叠层适应性保护薄膜为多层富氧SiO₂形成的叠层，富氧SiO₂的折射率小于1.5。

7.根据权利要求4至6之一所述的方法，其特征在于，在多步的适应性保护薄膜形成工艺中，交替改变薄膜沉积的SiH₄和O₂气体流量的比值，以获得不同折射率组分的薄膜覆盖，提高适应性保护薄膜的致密性。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在多步的适应性保护薄膜形成工艺中，交替改变薄膜沉积的射频功率的参数，以提高适应性保护薄膜的均匀性和致密性。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，改变的射频功率参数包括改变等离子体分布浓度和方向。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在沉积一层或任意多层适应性保护薄膜后，在腔体保养维护时对所述腔室的侧壁进行增加粗糙度的擦刮，改善表面性能，提高适应性保护薄膜的粘附性。