[发明专利]含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板

权利要求书

1.一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；

在沟道区上方形成栅绝缘层和栅电极；

在形成了栅电极的基板上沉积诱导金属层；

通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质，离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区；

去除诱导金属层；

对掺杂后的有源层进行热处理，以激活杂质，并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；

形成源电极和漏电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上沉积非晶硅层为：

在基板上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积非晶硅层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述诱导金属为镍、铜、金、银、铝、钴或铬中的一种或两种以上。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成源电极和漏电极，包括：

沉积钝化层；

在钝化层上形成过孔以暴露源区和漏区；

制作源电极和漏电极，源电极和漏电极通过过孔分别与源区和漏区电性连接。

5.一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅电极和栅绝缘层；

在栅绝缘层上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；

在沟道区上方形成掩膜；

在形成了掩膜的基板上沉积诱导金属层；

通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质，离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区；

去除掩膜和诱导金属层；

对掺杂后的有源层进行热处理，以激活杂质，并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；

形成源电极和漏电极。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：

所述诱导金属为镍、铜、金、银、铝、钴或铬中的一种或两种以上。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成源电极和漏电极，包括：

沉积源漏金属薄膜；

对源漏金属薄膜进行构图，形成源电极和漏电极。

8.一种含有多晶硅有源层的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管采用如权利要求1至7中任一项所述的方法制造得到。

9.一种阵列基板，其特征在于：所述阵列基板中包括有如权利要求8所述的薄膜晶体管。