[发明专利]含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管(TFT)的制造工艺，特别涉及一种用于显示器件如液晶显示器(LCD)或有机电致发光显示器(OLED)的含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板。

背景技术

金属诱导晶化(MIC)和金属诱导横向晶化(MILC)是低温多晶硅(LTPS)的一种制备方法，相对于现有的激光晶化(ELA)、固相晶化(SPC)等技术，MIC技术和MILC技术的晶化温度低、晶化时间短、设备与制作工艺相对简单，适合商业化大规模生产。

图1A至图1F是现有技术中利用MIC工艺和MILC工艺制造含有多晶硅有源层的TFT的过程的截面图，现有技术的多晶硅TFT的制备过程如下：

步骤S1：首先，在基板1上形成缓冲层2，并在缓冲层2上形成非晶硅层3，然后，对非晶硅层3进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层(参照图1A)；

步骤S2：在形成了有源层的基板1上涂覆一层光刻胶4，采用掩模板对光刻胶4进行曝光后，去除源区和漏区之上的光刻胶，然后，沉积诱导金属层5(参照图1B)；

步骤S3：对剩余的光刻胶进行剥离，源区和漏区上方的诱导金属被保留(参照图1C)；

步骤S4：在退火炉中进行第一次热处理，使得有源层发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化，形成MIC区6及MILC区7(参照图1E)；

步骤S5：去除剩余的诱导金属(参照图1F)；

步骤S6：沉积栅绝缘层8和栅金属层9，对栅金属层9和栅绝缘层8进行刻蚀后，形成栅电极；

步骤S7：根据不同的MOS类型，利用离子注入技术对形成了栅电极的基板1进行B⁺或P⁺注入，离子注入结束后，在退火炉中进行第二次热处理，以激活杂质。

可以看出，上述的多晶硅TFT的制备方法，需要进行两次热处理，分别为晶化热处理和离子注入后的杂质激活热处理，这样就增加了多晶硅TFT的制备时间，提高了多晶硅TFT的制造成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板，以减少多晶硅TFT的制备时间，降低多晶硅TFT的制造成本。

为解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：

一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，包括：

在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；

在沟道区上方形成栅绝缘层和栅电极；

在形成了栅电极的基板上沉积诱导金属层；

通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质，离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区；

去除诱导金属层；

对掺杂后的有源层进行热处理，以激活杂质，并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；

形成源电极和漏电极。

上述的方法，其中，所述在基板上沉积非晶硅层为：在基板上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积非晶硅层。

上述的方法，其中，所述诱导金属为镍、铜、金、银、铝、钴或铬中的一种或两种以上。

上述的方法，其中，所述形成源电极和漏电极，包括：

沉积钝化层；

在钝化层上形成过孔以暴露源区和漏区；

制作源电极和漏电极，源电极和漏电极通过过孔分别与源区和漏区电性连接。

一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，包括：

在基板上形成栅电极和栅绝缘层；

在栅绝缘层上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；

在沟道区上方形成掩膜；

在形成了掩膜的基板上沉积诱导金属层；

通过离子注入的方式在源区和漏区掺入杂质，离子注入时部分诱导金属被轰击进入源区和漏区；

去除掩膜和诱导金属层；

对掺杂后的有源层进行热处理，以激活杂质，并使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；

形成源电极和漏电极。

上述的方法，其中，所述诱导金属为镍、铜、金、银、铝、钴或铬中的一种或两种以上。

上述的方法，其中，所述形成源电极和漏电极，包括：

沉积源漏金属薄膜；

对源漏金属薄膜进行构图，形成源电极和漏电极。

一种含有多晶硅有源层的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管采用上述的方法制造得到。