[发明专利]低噪声放大器

权利要求书

1.一种低噪声放大器，包括：

第一输入端(A)，可用于输入直流偏置信号；

第一输入选择端母端(A1)，可用于输入射频信号；

第一输出端(B)，用于输出处理后的信号；

第一低通电流镜(1)，用于处理从所述第一输入端(A)输入的直流偏置信号；其第一端是所述第一输入端(A)，第二端接地；

第一放大电路(2)，用于与所述第一低通电流镜(1)配合，放大所述第一输入选择端母端(A1)输入的射频信号；其第一端与所述第一低通电流镜第三端，并与所述第一输入选择端母端(A1)连接，其第二端是第一输出端(B)；

其特征在于，

所述第一放大电路(2)至少包括第一子放大电路和第二子放大电路，所述第一子放大电路和第二子放大电路的第一端连接并与所述第一输入选择端母端(A1)连接，第二端连接并与第一输出端(B)连接；

还包括，

选择电路(3)，用于使所述子放大电路适于处理所述第一输入选择端母端(A1)输入的射频信号；其第一端与所述第一放大电路(2)连接，第二端接地；

所述选择电路(3)与所述第一放大电路(2)连接的第一端，包括至少两个子端，所述子端分别与所述第一子放大电路和第二子放大电路的第三端单独连接。

2.如权利要求1的低噪声放大器，其特征在于，所述第一低通电流镜(1)包括：

第一组第一NMOS管(N1)，具有漏极，连接到所述第一输入端(A)；具有源极，接地；具有栅极；所述栅极与漏极连接；

第一电阻(R1)，串联在所述第一NMOS管(N1)的栅极与第一输入选择端母端(A1)间；

第一电容(C1)，与所述第一电阻(R1)和所述第一NMOS管(N1)的源极并联。

3.如权利要求1的低噪声放大器，其特征在于，所述第一子放大电路包括：

第一输入选择端第二子端(A12)，可用于输入射频信号；可与第一输入选择端母端(A1)连接；

第一组第三NMOS管(N3)，具有漏极，连接到所述第一输出端(B)；具有源极，连接到所述选择电路(3)的第一端的子端；具有栅极，连接到所述第一输入选择端第二子端(A12)，同时连接到所述第一低通电流镜(1)。

4.如权利要求1的低噪声放大器，其特征在于，所述第二子放大电路包括：

第一输入选择端第三子端(A13)，可用于输入射频信号；可与第一输入选择端母端(A1)连接；

第一组第四NMOS管(N4)，具有漏极，连接到所述第一输出端(B)；具有源极，连接到所述选择电路(3)的第一端的子端；具有栅极，连接到所述第一输入选择端第三子端(A13)，同时连接到所述第一低通电流镜(1)。

5.如权利要求1的低噪声放大器，其特征在于，所述选择电路(3)是多端口电感，包括：

第一端第一子端(H1)，与所述第三NMOS管(N3)源极连接；

第一端第二子端(H2)，与所述第四NMOS管(N4)源极连接；

第二端(H20)接地。

6.如权利要求1的低噪声放大器，其特征在于，

所述第一输入端(A)，可用于输入射频信号；

还包括，

第一低频放大电路(4)，用于与所述第一低通电流镜(1)配合，放大所述第一输入端(A)输入的射频信号；其第一端与所述第一低通电流镜(1)连接，第二端接地，第三端是所述第一输出端(B)。

7.如权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一低频放大电路(4)包括：

第一输入选择端第一子端(A11)，可与所述第一输入选择端母端(A1)连接；

第一组第二NMOS管(N2)，具有漏极，连接到第一输出端(B)；具有源极，接地；具有栅极，与第一输入选择端第一子端(A11)连接，同时与所述第一低通电流镜(1)连接。