[发明专利]低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201110209319.1 申请日: 2011-07-25
公开(公告)号: CN102355199A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 栗星星;赵岩;栗晶晶;葛莉华 申请(专利权)人: 无锡里外半导体科技有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/189;G06K17/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 低噪声放大器
【说明书】:

技术领域

发明涉及非接触式的自动识别技术领域,特别涉及射频识别读写器中的低噪声放大器。

背景技术

高集成度、低成本、低功耗的射频识别(RFID,Radio Frequency Identification)读写器对建设智能化社会有重要的作用。如果将其集成到手机和其他各类移动终端,不仅可进一步拓展目前已逐步实施的众多射频识别应用领域,而且会产生许多全新应用领域。例如,使用者可通过手机互联网联接方便地掌握感兴趣的产品信息,集成有RFID读写器和GPS接收功能的手机可无缝隙地监督、定位和跟踪产品,从而提高消费者选择产品的灵活性以及产品供应链的管理效率。目前,一些主要的手机厂商(如诺基亚)已带头在其主要产品中采纳RFID功能,其他厂商也必将跟进。如图1所示,ABI Research预测2015年单在亚太地区市场就将有5千5百多万的RFID手机消费量。

目前实用的RFID技术存在五个标准体系:

1.ISO(International Standard Organization)标准体系,包括ISO/IEC 18000、ISO/IEC 14443、ISO/IEC 15693系列标准;

2.EPC Global(Electronic Product Code)标准体系;

3.源于日本的Ubiquitous ID标准体系;

4.中国信息产业部的800/900MHz频段射频识别RFID技术应用规定[5];

5.中国联通手机2.4G频率NFC应用业务规范和中国移动通信企业标准手机支付RFID-SIM卡片基础技术方案。

按应用频率的不同,RFID技术可分为低频(LF)、高频(HF)、超高频(UHF)、微波(MW)四类;相对应的代表性频率分别为:低频135KHz以下、高频13.56MHz、超高频860M~960MHz、微波2.4GHz及5.8GHz。

RFID的应用前景广阔,是全球竞争激烈的高技术行业之一。但由于RFID全球标准、频段不统一,产品不兼容,地阻碍了各类应用的推广,因此,多频段、多标准、便携式的RFID读写器市场即将应运而生。目前,基于分立元件的RFID读写器已经全面开发,但是设备一般比较庞大、昂贵而且功耗高。最近两年,RFID读写器射频前端系统集成芯片和标签的研究,吸引了众多国内外研究人员的注意,但基本上全部是局限于单一频段和单一标准的,主要可分为HF和UHF两大阵营。

一方面,世界经济、技术正朝着全球化迅速发展,另一方面,不同国家和地方存在着日益严重的保护主义和技术/贸易壁垒;这两种因素的存在,使得开发以不变应万变的兼容产品势在必行。

因此,需要提供多标准、多频段RFID读写器的关键技术,尤其是低噪声放大器的多频段共享技术,使用利于大规模推广的廉价CMOS工艺制程,开发低功耗的射频收发器前端,为促进物联网技术和应用的发展、建设智能社会体系作出一份贡献。

发明内容

本发明解决的问题是,提供一种低噪声放大器的电路,以简化射频识别读写器中的设计、进而节约设计成本。

为解决上述问题,本发明提供一种噪声放大器,包括:

第一输入端A,可用于输入直流偏置信号;

第一输入选择端母端A1,可用于输入射频信号;

第一输出端B,用于输出处理后的信号;

第一低通电流镜1,用于处理直流偏置信号;其第一端是所述第一输入端A,第二端接地;

第一放大电路2,用于与所述第一低通电流镜1配合,放大所述第一输入选择端母端A1输入的射频信号;其第一端与所述第一低通电流镜第三端,并与所述第一输入选择端母端A1连接,其第二端是第一输出端B;

其特征在于,

所述第一放大电路2至少包括第一子放大电路和第二子放大电路,所述第一子放大电路和第二子放大电路的第一端并联并与所述第一输入选择端母端A1连接,第二端并联并与第一输出端B连接;

还包括,

选择电路3,用于使所述子放大电路适于处理所述第一输入选择端母端A1输入的射频信号;其第一端与所述第一放大电路2连接,第二端接地;

所述选择电路3与所述第一放大电路2连接的第一端,包括至少两个子端,所述子端分别与所述第一子放大电路和第二子放大电路的第三端单独连接。

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