[发明专利]镀膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及膜层的形成方法，且特别是涉及在大尺寸的基板上进行镀膜的方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emittine Diode；OLED)具有结构简单、不需外加背光源、分辨率高、像素独立色彩表现佳、反应时间较短等优异的特性，目前已普遍运用于平面显示器的全彩化的制作工艺技术中。

有机发光二极管显示元件的制作方法是利用掩模(Shadow Mask)与像素对位技术将有机发光材料蒸镀于玻璃基板上以形成一图案化的有机发光层，其中掩模是由一金属薄膜以及一与金属薄膜的周边区相连的框架构成。

近年来，随着玻璃基板的制作技术日益进步，玻璃基板的尺寸日益增加，因此，需要使用尺寸较大的掩模。然而，掩模的尺寸增加会衍生出一些问题，例如：框架尺寸增加会导致重量增加且容易变形，因此，在储存、搬运、与制作工艺中对人员的操作以及机台设计会增加许多难度，以致于制作成本提高；金属薄膜的尺寸受到供应商的限制，故不易取得大尺寸的金属薄膜；以及随着金属薄膜的尺寸增加，用以加工金属薄膜的机具也需配合放大，以致于制作成本大幅提高。

发明内容

为解决上述问题，本发明一实施例提供一种镀膜的方法，包括：提供一基板、以及一镀膜源与基板相对，提供一阴影掩模单元于基板与镀膜源之间且对应于基板的一第一区域，其中阴影掩模单元具有一开口图案；以阴影掩模单元为掩模，利用镀膜源进行一第一镀膜制作工艺，以于开口图案所暴露出的第一区域上形成一第一图案化镀膜；使阴影掩模单元与基板之间相对位移，以使位移后的阴影掩模单元对应于基板的一第二区域，第二区域与第一区域部分重叠或是彼此分离；以及以阴影掩模单元为掩模，利用镀膜源进行一第二镀膜制作工艺，以于开口图案所暴露出的第二区域上形成一第二图案化镀膜。

附图说明

图1A至图1D为本发明一实施例的镀膜制作工艺的上视图；

图2A至图2D分别为图1A至图1D沿I-I’线段的剖视图；

图3A为本发明另一实施例的镀膜制作工艺的上视图；

图3B为图3A沿I-I’线段的剖视图；

图4为本发明又一实施例的镀膜制作工艺的上视图；

图5为本发明一实施例的镀膜制作工艺的上视图；

图6A至图6C为本发明一实施例的镀膜制作工艺的上视图；

图7A至图7C分别为图6A至图6C沿I-I’线段的剖视图；

图8为本发明另一实施例的镀膜制作工艺的上视图。

主要元件符号说明

110～基板；

112～表面；

120～镀膜源；

130～阴影掩模单元；

132～开口图案；

132a～开口；

134～金属薄膜；

136～框架；

142、144、144a、146、148～图案化镀膜；

A1～第一区域；

A2～第二区域；

A3～第三区域；

L1、L2～长度；

V1、V2、V3、V4、V5、V6～移动方向；

W1、W2～宽度。

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的说明，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，以简化或是方便标示。

图1A至图1D绘示本发明一实施例的镀膜制作工艺的上视图。图2A至图2D分别绘示图1A至图1D沿I-I’线段的剖视图。

请同时参照图1A与图2A，提供一基板110、以及一镀膜源120与基板110相对，其中镀膜源120例如为一蒸发源，其适于在基板上蒸镀电激发光材料，例如有机发光二极管(OLED)材料。基板110例如为一玻璃基板。在基板110与镀膜源120之间提供一阴影掩模单元130，且阴影掩模单元130对应于基板110的一第一区域A1。在一实施例中，阴影掩模单元130配置于第一区域A1上。