[发明专利]基于CMOS数字逻辑门电路的抗NBTI效应加固方法无效
| 申请号： | 201110211195.0 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102332907A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李斌;赵明剑;刘利宁;吴朝晖 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 数字 逻辑 门电路 nbti 效应 加固 方法 | ||
【权利要求书】：
1.基于CMOS数字逻辑门电路的抗NBTI效应加固方法，其特征是在原CMOS数字逻辑门电路中的输入节点和PMOS管的栅极之间引入由一个源极跟随器NMOS管和一个电流源负载NMOS管形成的支路，其中源极跟随器NMOS管的漏极与电源相连，栅极接逻辑门电路中输入节点，源极与所述PMOS管的栅极相连；电流源负载NMOS管源极接地，栅极与电源相连，漏极与所述PMOS管的栅极相连。
2.根据权利要求1所述的基于CMOS数字逻辑门电路的抗NBTI效应加固方法，其特征是所述原CMOS数字逻辑门电路为最简化的反相器、与非门、或非门电路中的任一种。
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