[发明专利]半导体装置、引线架集合体及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

引线架；

半导体元件，其保持在所述引线架上；

框体，其以包围所述半导体元件的方式形成在所述引线架上，且覆盖所述引线架的侧面并使所述引线架的下表面露出，

所述框体在其侧面具有至少一个凹部，

所述凹部的顶部的位置为与所述引线架的上表面相等或比所述引线架的上表面低的位置，所述凹部的底部的位置为比所述引线架的下表面高的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述凹部在所述框体的侧面的表面处的开口尺寸比所述凹部的进深的壁面的尺寸大。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述凹部在所述框体的侧面的表面到达所述框体的下端。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述凹部为多个，且分别形成在所述框体的第一侧面以及与该第一侧面对置的第二侧面上。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述凹部分别形成在所述第一侧面及第二侧面的相互对置的位置。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述引线架的与所述凹部对应的位置处的宽度比所述引线架的其他部分的宽度窄。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述引线架具有粘接有所述半导体元件的芯片焊盘部和与所述芯片焊盘部分离的引线部，

所述半导体元件配置在所述框体的中央部。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述芯片焊盘部具有贯通孔，

所述框体具有从所述引线架的上表面立起的壁部和埋入所述贯通孔且与所述壁部一体形成的埋入部，

所述埋入部的下表面的至少一部分位于比所述芯片焊盘部的下表面靠上侧。

9.一种引线架集合体，其具备：

多个预模制引线架；

保持架，其保持所述多个预模制引线架，

所述多个预模制引线架分别具有：

引线架；

框体，其形成在所述引线架上，且覆盖所述引线架的侧面并使所述引线架的底面露出，

所述保持架具有：

槽部，其包围所述引线架的周围；

保持引线，其在所述槽部向所述引线架侧突出且与所述引线架分离，

所述保持引线的前端部的厚度比所述引线架的厚度薄且所述保持引线的前端部被埋入所述框体的侧面。

10.根据权利要求9所述的引线架集合体，其中，

所述保持架具有隔着所述保持引线而形成在所述引线架的相反侧的狭缝。

11.根据权利要求9所述的引线架集合体，其中，

所述保持引线为多个，且分别形成在所述框体的第一侧面以及与该第一侧面对置的第二侧面上。

12.根据权利要求11所述的引线架集合体，其中，

所述保持引线分别形成在所述第一侧面及第二侧面的相互对置的位置。

13.一种半导体装置的制造方法，其包括：

通过在基板的规定位置形成开口部，从而形成保持架、引线架、将所述保持架和所述引线架连接的连接条、从所述保持架向所述引线架侧突出且与所述引线架分离的保持引线的工序a；

在所述工序a之后，通过形成在所述引线架的外缘部上形成且埋入有所述保持引线的前端部的框体，从而形成具有所述引线架及框体的预模制引线架的工序b，

在所述工序b之后切断所述连接条的工序c；

在所述工序c之后，通过将所述保持引线的前端从所述框体拔出而使所述预模制引线架与所述保持架分离的工序d，

在所述工序a中，使所述保持引线的前端部的厚度比所述引线架的厚度薄，

在所述工序b中，以使所述引线架的底面露出且覆盖所述保持引线的前端部的上表面、侧面及下表面的方式形成所述框体。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括：

在所述工序c之后且在所述工序d之前，在所述引线架上保持半导体元件的工序e；

在所述工序e之后且在所述工序d之前，向由所述框体包围的区域填充保护树脂的工序f。