[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用条状膜的生产方法和倒装芯片型半导体器件有效
申请号: | 201110212301.7 | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN102382585A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 志贺豪士;高本尚英;浅井文辉 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/02 | 分类号: | C09J7/02;H01L23/29 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 芯片 半导体 背面 条状 生产 方法 半导体器件 | ||
1.一种倒装芯片型半导体背面用膜,其要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面,
所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在1至8×103(%/GPa)的范围内的比率A/B,其中A是所述倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率(%),和B是所述倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的拉伸贮能模量(GPa)。
2.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜,其中所述拉伸贮能模量在0.01至4.0GPa的范围内。
3.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜,
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜含有环氧树脂和酚醛树脂,
其中基于所述倒装芯片型半导体背面用膜的总树脂组分,所述环氧树脂和所述酚醛树脂的总量在5重量%至90重量%的范围内,和
其中所述环氧树脂和所述酚醛树脂各自具有25℃以下的熔点。
4.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜,
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜含有环氧树脂和酚醛树脂,
其中基于所述倒装芯片型半导体背面用膜的总树脂组分,所述环氧树脂和所述酚醛树脂的总量在5重量%至90重量%的范围内,和
其中所述环氧树脂和所述酚醛树脂各自具有25℃以下的熔点。
5.一种半导体背面用条状膜的生产方法,所述方法包括将根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜切断成预定的宽度,以获得半导体背面用条状膜。
6.根据权利要求5所述的半导体背面用条状膜的生产方法,其中所述拉伸贮能模量在0.01至4.0GPa的范围内。
7.根据权利要求5所述的半导体背面用条状膜的生产方法,
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜含有环氧树脂和酚醛树脂,
其中基于所述倒装芯片型半导体背面用膜的总树脂组分,所述环氧树脂和所述酚醛树脂的总量在5重量%至90重量%的范围内,和
其中所述环氧树脂和所述酚醛树脂各自具有25℃以下的熔点。
8.根据权利要求6所述的半导体背面用条状膜的生产方法,
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜含有环氧树脂和酚醛树脂,
其中基于所述倒装芯片型半导体背面用膜的总树脂组分,所述环氧树脂和所述酚醛树脂的总量在5重量%至90重量%的范围内,和
其中所述环氧树脂和所述酚醛树脂各自具有25℃以下的熔点。
9.一种倒装芯片型半导体器件,其使用由根据权利要求5至8任一项所述的半导体背面用条状膜的生产方法生产的半导体背面用条状膜制得。
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