[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用条状膜的生产方法和倒装芯片型半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜。此外，本发明还涉及使用倒装芯片型半导体背面用膜生产半导体背面用条状膜的方法和倒装芯片安装的半导体器件。 

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中借助于倒装芯片接合将半导体元件例如半导体芯片安装(倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可能存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至10)。 

专利文献1：JP-A-2008-166451 

专利文献2：JP-A-2008-006386 

专利文献3：JP-A-2007-261035 

专利文献4：JP-A-2007-250970 

专利文献5：JP-A-2007-158026 

专利文献6：JP-A-2004-221169 

专利文献7：JP-A-2004-214288 

专利文献8：JP-A-2004-142430 

专利文献9：JP-A-2004-072108 

专利文献10：JP-A-2004-063551 

本发明人对将膜粘帖至半导体芯片背面的方法进行了研究。结果，他们发明了一种方法，包括：(1)将倒装芯片型半导体背面用膜切断成根据半导体元件(即，半导体芯片)背面宽度的预定宽度，以形成半导体背面用条状膜，(2)进一步根据半导体元件的背面形状切断半导体背面用条状膜，和(3)粘贴所述切断的倒装芯片型半导体背面用膜(半导体背面用条状膜)至半导体元件的背面。然而，当采用该方法时出现了如下新的问题，切断的倒装芯片型半导体背面用膜的切断精度在一些情况下较低，因此，该膜不能以良好的精确度粘贴到半导体元件的背面，并且在切断表面上产生裂纹(cracking)和缺口(chipping)。 

发明内容

本发明是考虑到前述问题而做出的，其目的是提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其能够保持倒装芯片型半导体背面用膜的高切断精度，并抑制或防止裂纹和缺口。 

为了解决前述相关的技术问题，本发明人进行了广泛和深入的研究。结果发现，当倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率以A(％)表示，和倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的拉伸贮能模量以B(GPa)表示时，该倒装芯片型半导体背面用膜可以切断成具有优异宽度精确度的预定宽度，并且通过控制比率A/B在预定范围内可以抑制或防止裂纹和缺口。 

即，本发明涉及形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面的倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在1至8×10³(％/GPa)的范围内的比率A/B，其中A是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率(％)，和B是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的 拉伸贮能模量(GPa)。 

在倒装芯片型半导体背面用膜中，为了在半导体生产步骤中加强芯片，需要至少一定程度的硬度，即至少一定程度的拉伸贮能模量。此类具有高拉伸贮能模量的膜通常难以伸展。然而，在将倒装芯片型半导体背面用膜切断成预定宽度的情况下，必须切断该膜而在切断中在切断表面上不产生裂纹或缺口，且具有优异的宽度精确度，因此要求该膜具有一定程度的伸展性。 

根据前述构成，当倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率以A(％)表示和倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的拉伸贮能模量以B(GPa)表示时，比率A/B落入1至8×10³(％/GPa)的范围内。由于比率A/B为1至8×10³，该倒装芯片型半导体背面用膜具有一定程度的硬度和具有一定程度的伸展性。因而在切断时，可以将膜切断成具有优异宽度精确度的预定宽度。此外在切断时，可以抑制在切断表面上产生的裂纹和缺口。如上，由于本发明的倒装芯片型半导体背面用膜可以根据半导体元件背面的形状以良好的精确度切断，该膜可以良好的精确度粘贴到半导体元件的背面，以及导致切断面上的裂纹和缺口的杂质粒子污染的影响可以在很大程度上降低。