[发明专利]一种厚铜电路板的制作方法无效
申请号: | 201110212338.X | 申请日: | 2011-07-27 |
公开(公告)号: | CN102291946A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 冷科;刘海龙;崔荣;罗斌 | 申请(专利权)人: | 深南电路有限公司 |
主分类号: | H05K3/40 | 分类号: | H05K3/40;H05K3/06 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 彭愿洁;李文红 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路板 制作方法 | ||
1.一种厚铜电路板的制作方法,其特征在于,包括:
分别在厚铜箔的两面进行蚀刻,制作电路图形,其中,
蚀刻所述厚铜箔的第一面后,在所述厚铜箔上设置对位靶标;
蚀刻所述厚铜箔的第二面时,采用所述对位靶标进行定位。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述分别在厚铜箔的两面进行蚀刻,制作电路图形包括:
在所述厚铜箔的第一面蚀刻电路图形,蚀刻部位形成第一凹槽;
在所述厚铜箔的第一面压合半固化片,使所述第一凹槽被部分半固化片材料填充;
在所述厚铜箔的第二面上对应于所述第一凹槽的部位进行蚀刻,蚀刻出的第二凹槽的底部连通所述第一凹槽,从而在所述厚铜箔上制作出电路图形。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:
所述第一凹槽的深度不小于所述厚铜箔厚度的一半或所述第二凹槽的深度不小于所述厚铜箔厚度的一半。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述厚铜箔上制作出电路图形之后还包括:
采用所述对位靶标进行定位,在所述厚铜箔的第二面上设置阻焊图形。
5.根据权利要求2、3或4所述的方法,其特征在于,所述在所述厚铜箔的第一面压合半固化片之后还包括:
在所述半固化片的另一面压合另一厚铜箔,所述另一厚铜箔的与所述半固化片接触的第一面已蚀刻电路图形,蚀刻出的第三凹槽的深度不小于所述另一厚铜箔厚度的一半,所述另一厚铜箔上也设置有对位靶标。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述在所述半固化片的另一面压合另一厚铜箔之后还包括:
在所述厚铜箔上设置连通所述另一厚铜箔的金属化孔。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在所述厚铜箔上设置连通所述另一厚铜箔的金属化盲孔包括:
在所述厚铜箔上钻定位孔;
采用所述定位孔进行定位,开设连通所述另一厚铜箔的通孔;
对所述通孔进行电镀,形成金属化孔。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在所述厚铜箔上设置连通所述另一厚铜箔的金属化孔之后还包括:
采用所述另一厚铜箔上设置的对位靶标进行定位,在所述另一厚铜箔的第二面上对应于所述第三凹槽的部位进行蚀刻,蚀刻出的第四凹槽的底部连通所述第三凹槽,从而在所述另一厚铜箔上制作出电路图形。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在所述另一厚铜箔上制作出电路图形之后还包括:
采用所述另一厚铜箔上设置的对位靶标进行定位,在所述另一厚铜箔的第二面上设置阻焊图形。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述厚铜箔上设置对位靶标包括:
在所述厚铜箔上开设通孔作为对位靶标。
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