[发明专利]光学记录介质无效
| 申请号： | 201110212435.9 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102347040A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 黑川光太郎;高川繁树 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/242;G11B7/252 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 | ||
【权利要求书】：
1.一种光学记录介质，其包含：
支撑基板；和
半透射性记录层，该层包括从所述支撑基板开始按以下顺序层叠的以下各层：第一介电层、半透射半反射层、第二介电层、相转变型记录材料层、以及第三介电层；
其中所述半透射半反射层由银构成；并且
所述第一介电层包括含有氧化铌的复合氧化物层。
2.如权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述复合氧化物层包括氧化铌，并且包括氧化镓或氧化锆。
3.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述第一介电层包括设置在所述复合氧化物层的所述半透射半反射层侧的氧化钛层。
4.如权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述第三介电层具有叠层结构，该叠层结构包括在所述支撑基板侧的含氧化铌层和保护所述含氧化铌层的保护层。
5.如权利要求4所述的光学记录介质，其中，所述保护层由氧化铋、氧化镓、氧化钛、或氮化硅构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110212435.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电机定子线圈的轴向压紧装置
- 下一篇：用于自动硬件中断处理的系统和方法
