[发明专利]光学记录介质

说明书

技术领域

本发明一般地涉及光学记录介质。更具体地，本发明涉及一种包括多个层叠的记录层的相转变型光学记录介质。

背景技术

相转变型光学记录介质是可以通过激光照射而进行信息的记录、再现和擦除的一类常用光学记录介质。在相转变型光学记录介质中，通过利用晶体相和无定形相之间的转变或者在几种不同的晶体相之间的转变来实现信息的记录、再现和擦除。相转变型光学记录介质的商品例子包括：可重复写入式紧凑型盘(CD-RW)、可重复写入式数字通用型盘(DVD-RW)、数字通用型盘随机存储器(DVD-RAM)、和蓝光盘等。近年来，为了提高存储容量，包括多个层叠的记录层的结构(例如双层盘)已投入使用。

上面提到的相转变型光学记录介质具有如下的双层盘结构。即，该光学记录介质具有以下层结构：第一记录层形成在支撑基板上，第二记录层形成在第一记录层上且其间夹有对记录/再现波长透明的中间层，并且在第二记录层上设置对记录/再现波长透明的透光保护层。用于记录/再现的激光束通过物镜从透光保护层侧入射到光学记录介质上。通过物镜的激光束被聚焦在第一记录层或第二记录层上以便记录/再现信息。

双层盘的第二记录层被构造成具有透射光能力的半透射性记录层从而可以在第一记录层上进行记录/再现操作。第二记录层包括层叠的介电材料、金属、相转变型记录材料从而执行记录/再现操作。典型的层结构包括介电层、金属反射层、介电层、相转变型记录材料层、和介电层，它们从基板侧开始以此顺序堆叠。另外，第二记录层被设计为具有约45％至55％的透光率，从而从光盘记录/再现设备(驱动器)的角度看，第一记录层和第二记录层具有彼此基本相同的记录/再现功耗和反射率。

为了使第二记录层(半透射性记录层)具有这样高的透光率，提出了如下结构：在构成第二记录层(半透射性记录层)的各层中，通过使用具有预定折射率的材料，将设置在金属反射层的基板侧的介电层形成为透光率控制层。此类材料的例子包括：TiO₂、ZrO₂、ZnO、Nb₂O₅、Ta₂O₅、SiO₂、Al₂O₃、Bi₂O₃、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、以及ZnS。这些材料可以混合使用(参见国际公布No.03/025922)。

发明内容

在上述光学记录介质中，人们正在开发包括三个记录层的三层盘和包括四个记录层的四层盘，以便进一步提高存储容量。在三层盘和四层盘中，在激光束入射侧的半透射性记录层如愿地具有高于双层盘的半透射性记录层的透光率。

为了获得这样的高透光率，构成半透射性记录层的金属反射层和相转变型记录材料层的厚度被减小。然而，这些层厚度的减小已达到了它们的极限，进一步的厚度减小会导致缺陷的产生和信号记录/再现性能的劣化。

因此，理想的是在抑制半透射性记录层中缺陷形成的同时改善透光率，从而提供具有进一步增大的存储容量的光学记录介质。

本发明涉及相转变型光学记录介质，其包括多个堆叠在一起的记录层(包括半透射性记录层)。根据本发明的实施方式的相转变型光学记录介质包括支撑基板和半透射性记录层，半透射性记录层包括第一介电层、半透射半反射层、第二介电层、相转变型记录材料层、和第三介电层，它们按此顺序依次堆叠在支撑基板上。具体地，半透射半反射层由银构成，与半透射半反射层邻接的第一介电层包括含有氧化铌的复合氧化物层。

已经证实，在具有上文描述的结构的光学记录介质中，可以在改善透光率的同时抑制半透射性记录层中缺陷的形成，如下面的具体实施例部分中所详述的。

根据本发明的实施方式，在包括多个堆叠在一起的记录层(包括半透射性记录层)的相转变型光学记录介质中，半透射性记录层中层叠的层数可以增加，从而可以进一步增大存储容量。

附图说明

图1是示出根据本发明第一实施方式的光学记录介质的结构的示意图；

图2是示出用于形成半透射性记录层的溅射设备的结构示意图；

图3是示出半透射性记录层的光学性能的示意图；