[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件

权利要求书

1.一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，在截面上，所述垂直寄生型PNP器件包括：

一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；

一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述有源区并和所述集电区形成接触，通过在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极；

一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；

一发射区，形成于所述基区上部并和所述基区相接触；

一N型多晶硅，所述N型多晶硅形成于所述基区上部并和所述基区相接触，通过在所述N型多晶硅上做金属接触引出基极；

其特征在于：在俯视平面上，所述发射区的版图结构呈一工字形状，所述发射区的中间部分为一条状结构、所述发射区的两端都为和所述发射区的中间部分垂直的条状结构；所述发射区的中间部分处于所述有源区中并延伸到所述有源区两侧的所述浅槽场氧上，所述发射区的两端都处于所述有源区两侧的所述浅槽场氧上；所述发射区的中间部分和所述基区形成接触，在所述发射区的两端上形成金属接触并引出发射极。

2.如权利要求1所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述发射区的中间部分和所述基区的接触区域由发射区窗口定义，所述发射区窗口为由介质层刻蚀后形成的窗口。

3.如权利要求2所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述发射区的顶部向所述发射区窗口的边缘外侧延伸、且所述发射区的顶部的边缘和所述发射区窗口的边缘相隔一段距离。

4.如权利要求2所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述N型多晶硅和所述基区的接触区域由基区窗口定义，所述基区窗口为由介质层刻蚀后形成的窗口；所述发射区窗口位于有源区的中间区域，所述基区窗口位于所述发射区窗口的两侧；所述基区窗口处于所述发射区的顶部的边缘的外侧，且所述基区窗口至少部分位于所述有源区上。

5.如权利要求4所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述N型多晶硅的顶部往所述基区窗口边缘的外侧延伸，所述N型多晶硅的顶部边缘和所述发射区窗口的边缘相隔一定距离。

6.如权利要求2所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：所述发射区组成材料包括P型锗硅外延层、或P型锗硅碳外延层。

7.如权利要求6所述的BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，其特征在于：在所述发射区窗口的底部的有源区中形成有一P型离子注入区，由所述发射区窗口的底部的P型离子注入区和所述P型锗硅外延层一起组成所述发射区、或者由所述发射区窗口的底部的P型离子注入区和所述P型锗硅碳外延层一起组成所述发射区。