[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路器件，特别是涉及一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件。

背景技术

如图1所示，是现有BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的截面示意图，现有BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，在所述硅衬底上形成有深N阱1，有源区由浅槽场氧3隔离，在截面上，所述垂直寄生型PNP器件包括：

一集电区2，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区2的深度大于或等于所述浅槽场氧3的底部深度。所述集电区2的P型离子注入区采用CMOS工艺中的P阱工艺形成。

一赝埋层4，由形成于所述集电区2两侧的所述浅槽场氧3底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层4横向延伸进入所述有源区并和所述集电区2形成接触，通过在所述赝埋层4顶部的所述浅槽场氧3中形成的深孔接触8引出集电极。

一基区5，由形成于所述集电区2上部并和所述集电区2相接触的一N型离子注入区组成。所述基区5的宽度和所述有源区的宽度相同、都为距离C。

一发射区，形成于所述基区5上部并和所述基区5相接触。所述发射区的中间部分和所述基区的接触区域由发射区窗口定义，所述发射区窗口为由介质层刻蚀后形成的窗口。所述发射区由P型锗硅外延层6和形成于所述发射区窗口的底部的P型离子注入区61组成，也能只由所述P型锗硅外延层6组成，所述P型锗硅外延层6也能替换为P型锗硅碳外延层。所述发射区6的顶部向所述发射区窗口的边缘外侧延伸、且所述发射区6的顶部的边缘和所述发射区窗口的边缘相隔一段距离B。通过在所述发射区6上做金属接触10引出发射极。

一N型多晶硅7，所述N型多晶硅7形成于所述基区5上部并和所述基区5相接触，通过在所述N型多晶硅7上做金属接触9引出基极。所述N型多晶硅7和所述基区5的接触区域由基区窗口定义，所述基区窗口为由介质层刻蚀后形成的窗口；所述发射区窗口位于有源区的中间区域，所述基区窗口位于所述发射区窗口的两侧；所述基区窗口处于所述发射区6的顶部的边缘的外侧，且所述基区窗口至少部分位于所述有源区上。所述N型多晶硅7的顶部往所述基区窗口边缘的外侧延伸，所述N型多晶硅7的顶部边缘和所述发射区的金属接触10的边缘相隔一定距离A。

如图2所示，为现有BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的在俯视平面上的版图。有源区为实线框5A所示的区域，所述发射区窗口为虚线框6A所示的区域、所述基区窗口为虚线框7A所示的区域。可知，所述发射区6为一条状结构，所述发射区窗口位于所述有源区中，所述发射区6的中间部分位于所述有源区中、两侧略微延伸到所述有源区两侧的所述浅槽场氧3上。所述发射区6的金属接触10位于所述有源区中，所述N型多晶硅7的顶部边缘和所述发射区的金属接触10的边缘相隔一定距离A。

如上所述的现有BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的一个缺陷是，由于所述发射区6的金属接触10位于有源区中，所以必须保证所述距离A要足够大，所以也就必须要使所述P型锗硅外延层6的宽度保持足够大，这样势必会使所述距离B和所述距离C都比较大。这样造成所述发射区和所述基区5的相交面积、以及所述基区5和所述集电区2的相交面积较大，从而也就导致的器件内的寄生电容增大。这样就会影响器件在高频段的工作速度，也对工作可靠性构成威胁。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，能有效地降低器件的寄生电容，提高器件在高频使用中的性能。