[发明专利]改良西门子法-HCL气体脱水纯化方法

权利要求书

1.一种改良西门子法-HCL气体脱水纯化方法,其特征在于：包括以下步骤：

①系统吹扫：开启吹扫氮气阀门（11），对HCL脱水装置进行吹扫，将系统内的空气排尽；

②HCL气体洗涤脱水：使来自HCL合成工序、含有少量水汽的HCL气体从干燥塔塔底进气口进入干燥塔内的填料层（8），与从干燥塔顶部喷淋下来的四氯化硅逆流接触，HCL中的水汽与四氯化硅发生激烈化学反应，HCL中的水汽被吸收，从而使HCL中的水被脱除；

③四氯化硅循环：四氯化硅被四氯化硅循环泵（2）泵出，先经过四氯化硅换热器（3）被冷却介质                                               降温，再进入HCL干燥塔（1），经液体分布器（9）或喷淋器均匀分布到填料上，润湿填料表面，与HCL气体接触，干燥HCL，最后回到干燥塔塔底循环桶（12）；

④四氯化硅回收：出干燥塔塔顶、携带了部份四氯化硅蒸汽的HCL气体经过干燥塔塔顶冷却器，用冷却介质对其进行冷却，利用四氯化硅液化温度比HCL更高的原理，使HCL与四氯化硅分离，被液化分离的四氯化硅经管道返回干燥塔塔底循环桶（12）。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于：在上述步骤④后，还包括如下步骤：

⑤HCL气体升温：出干燥塔塔顶冷却器的HCL气体进入一台HCL加热器（7），将温度升到120℃后，进入HCL缓冲罐（10），供合成三氯氢硅使用；

⑥四氯化硅的净化：将干燥塔塔底循环桶内的四氯化硅从循环桶底部由四氯化硅过滤循环泵（5）抽出，送入四氯化硅过滤器（6），过滤掉四氯化硅中的杂质，滤液返回干燥塔塔底循环桶（12）。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于：上述步骤③中所述冷却介质为来自干燥塔塔顶冷却器（4）的冷冻盐水。

4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于：上述步骤④中所述冷却介质为-20℃的冷冻盐水。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于：上述步骤②中进入干燥塔的含有少量水汽的HCL气体温度为130℃。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于：上述步骤③中四氯化硅被冷却介质降温到40℃以下。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于：上述步骤中，出干燥塔塔顶冷却器的HCL气体含水量小于50ppm、每千克HCL中四氯化硅的含量小于0.05kg。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于：上述步骤②中，四氯化硅的温度由四氯化硅换热器（3）控制在40℃以内。