[发明专利]一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法无效

专利信息
申请号: 201110213570.5 申请日: 2011-07-28
公开(公告)号: CN102357493A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 冯谨;陈骏;杨刊 申请(专利权)人: 河北东明中硅科技有限公司
主分类号: B08B9/08 分类号: B08B9/08
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 李荣文
地址: 052360 河北省石*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 还原 炉炉筒 清洗 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种还原炉炉筒清洗方法,尤其是一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法。

背景技术

“硅油”是一种大分子量的硅卤化物,含硅25%呈油状的物质,这种油状物是在还原过程中低温处产生的(低于300℃),往往沉积在炉壁、底盘、观察孔石英片等冷壁处。硅油有强烈的吸水性,因而在拆炉时,硅油强烈的吸收空气中的水份同时游离出氯化氢而腐蚀设备。所以炉筒必须定时的进行清洗。一般的清洗方法用高压水枪进行冲洗,再用氮气吹干,然后打磨,最后再用无水乙醇擦拭。实践证明,由于清洗过程中要对炉壁进行打磨,导致大量的重金属析出,造成清洗后首次加工的多晶硅的纯度偏低,严重影响多晶硅的生产。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供具有简单可行、清洗效率高等优点的一种多晶硅还原炉炉筒清洗方法。

本发明的还原炉炉筒清洗方法包括下述步骤:

(1)拆开多晶硅还原炉的视镜;

(2)采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗;

(3)用涤纶无纺布蘸取质量分数为5%-10%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭,让其溶液在内壁停滞10-15min;

(4)采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗;

(5)再次用涤纶无纺布蘸取质量分数为2%-4%的氟化氢铵溶液对炉筒内壁进行擦拭,让其溶液在炉筒内壁停滞10-15min;

(6)采用高压水枪用去离子水炉筒内壁进行冲洗,并用氮气吹干;

(7)用无水乙醇擦拭炉筒内壁,待到乙醇挥发完全后,用干燥的涤纶无纺布再擦拭一遍。

第一次擦拭炉筒内壁采用高浓度氟化氢铵溶液,是为了去除沉积在炉壁上的硅油、粉尘等杂质。第二次用低浓度氟化氢铵溶液擦洗,也叫精擦洗,保证了炉筒内壁光洁度,可以使生产过程中硅芯热辐射到炉壁上后会有一部分热能反射回来,起到节能的目的。

操作过程中关键是擦试氟化氢铵溶液和操作顺序及对时间的把握,时间太长会腐蚀设备,时间太短会造成清洗不净。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于:

1.本发明用高浓度氟化氢铵溶液进行第一次擦洗,去除沉积在炉壁上硅油、粉尘等杂质。用低浓度氟化氢铵溶液进行的二次擦洗,保证炉筒内壁光洁度好,可以使生产过程中硅芯热辐射到炉壁上后会有一部分热能反射回来,起到节能的目的。

2.本发明中用氟化氢铵溶液对炉壁进行清洗后,可以不用砂轮打磨,避免了不锈钢保护膜遭到破坏析出铁离子,保证了生产过程中多晶硅产品的纯度。

3.用涤纶无纺布对炉壁进行擦洗,可以减少因擦拭导致炉壁内壁布纤维的存在。

4.采用去离子水清洗炉筒,去除残留的氟化氢铵,避免氟化氢铵对还原炉筒内壁产生腐蚀。

具体实施方式

实施例1

(1)拆开多晶硅还原炉的视镜;

(2)采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗;

(3)用涤纶无纺布蘸取质量分数为5%的氟化氢铵溶液对内壁进行擦拭,让其溶液在内壁停滞15min;

(4)采用高压水枪用去离子水对炉筒内壁进行冲洗;

(5)再次用涤纶无纺布蘸取质量分数为2%的氟化氢铵溶液对内壁进行擦拭,让其溶液在内壁停滞15min;

(6)采用高压水枪用去离子水对炉筒内壁进行冲洗,并用氮气吹干;

(7)用无水乙醇擦拭炉筒内壁,待到乙醇挥发完全后,用干燥的涤纶无纺布再擦拭一遍。

实施例2

(1)拆开多晶硅还原炉的视镜;

(2)采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗;

(3)用涤纶无纺布蘸取质量分数为10%的氟化氢铵溶液对内壁进行擦拭,让其溶液在内壁停滞10min;

(4)采用高压水枪用去离子水对炉筒内壁进行冲洗;

(5)再次用涤纶无纺布蘸取质量分数为4%的氟化氢铵溶液对内壁进行擦拭,让其溶液在内壁停滞10min;

(6)采用高压水枪用去离子水对炉筒内壁进行冲洗,并用氮气吹干;

(7)用无水乙醇擦拭炉筒内壁,待到乙醇挥发完全后,用干燥的涤纶无纺布再擦拭一遍。

实施例3

(1)拆开多晶硅还原炉的视镜;

(2)采用高压水枪用去离子水对还原炉炉筒内壁进行冲洗;

(3)用涤纶无纺布蘸取质量分数为8%的氟化氢铵溶液对内壁进行擦拭,让其溶液在内壁停滞12min;

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