[发明专利]薄膜晶体管阵列面板制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：

在绝缘基板上形成栅极线，所述栅极线包括栅电极；

在所述栅极线上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上顺序形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、下数据金属层和上数据金属层；

在所述上数据金属层上形成第一光敏膜图案，所述第一光敏膜图案包括第一部分和比所述第一部分厚的第二部分；

通过使用所述第一光敏膜图案作为掩模蚀刻所述上数据金属层和所述下数据金属层来执行第一蚀刻处理，以形成第一下数据金属图案和第一上数据金属图案，所述第一上数据金属图案包括位于其周界的向外延伸的突出部；

通过使用所述第一光敏膜图案作为掩模蚀刻所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层来执行第二蚀刻处理，以形成第一非晶硅层图案和第二非晶硅层图案；

灰化所述第一光敏膜图案以形成第二光敏膜图案；

通过使用所述第二光敏膜图案作为掩模蚀刻所述第一上数据金属图案来执行第三蚀刻处理，以形成第二上数据金属图案；

通过使用所述第二光敏膜图案作为掩模蚀刻所述第一下数据金属图案、所述第一非晶硅层图案和所述第二非晶硅层图案来执行第四蚀刻处理，以形成数据线、从所述数据线延伸的源电极、漏电极、半导体以及位于所述源电极和所述漏电极与所述半导体之间的欧姆接触层；

在所述数据线、所述漏电极和所述栅绝缘层上形成钝化层；以及

在所述钝化层上形成像素电极，使得所述像素电极连接至所述漏电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一上数据金属图案和所述第一下数据金属图案的周界位于所述第一光敏膜图案的周界内侧，从而底切所述第一光敏膜图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一上数据金属图案的所述突出部延伸出所述第二光敏膜图案的周界。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一上数据金属图案的所述突出部具有上表面和相对的下表面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述突出部的所述下表面从所述上表面的边缘延伸至所述第一下数据金属图案的周界。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述上数据金属层包括铜或铜合金；并且

所述下数据金属层包括钛或钛合金。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述第一蚀刻处理和所述第三蚀刻处理包括湿法蚀刻处理；并且

所述第二蚀刻处理和所述第四蚀刻处理包括干法蚀刻处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一上数据金属图案的所述突出部的下表面的边缘正好位于所述第二光敏膜图案的周界下方。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述上数据金属层包括铜或铜合金；并且

所述下数据金属层包括钛或钛合金。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述第一蚀刻处理和所述第三蚀刻处理包括湿法蚀刻处理；并且

所述第二蚀刻处理和所述第四蚀刻处理包括干法蚀刻处理。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一上数据金属图案的所述突出部的下表面的边缘正好位于所述第二光敏膜图案的周界下方。

12.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一蚀刻处理和所述第三蚀刻处理包括湿法蚀刻处理；并且

所述第二蚀刻处理和所述第四蚀刻处理包括干法蚀刻处理。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一上数据金属图案的所述突出部延伸出所述第二光敏膜图案的周界。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一上数据金属图案的所述突出部包括上表面和相对的下表面。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一上数据金属图案的所述突出部的所述下表面接触所述第一下数据金属图案的周界。