[发明专利]薄膜晶体管阵列面板制造方法

说明书

技术领域

本发明的方面涉及薄膜晶体管阵列面板制造方法。

背景技术

通常，薄膜晶体管(TFT)阵列面板用作液晶显示器、有机电致发光(EL)显示装置等中的用于独立驱动各像素的电路板。薄膜晶体管阵列面板包括传输扫描信号的栅极线或扫描信号线、传输图像信号的数据线或图像信号线、连接至栅极线和数据线的薄膜晶体管、连接至薄膜晶体管的像素电极等。

薄膜晶体管包括为栅极线的一部分的栅电极、包括沟道的半导体层以及为数据线的一部分的源电极和漏电极。薄膜晶体管为根据经由栅极线传输的扫描信号来传送或中断经由数据线向像素电极传输的图像信号的开关元件。

在形成薄膜晶体管阵列面板时，为了减少掩模处理的次数，使用一个掩模来形成数据线和半导体层。即，数据线的侧壁和半导体层的侧壁共面。然而，当蚀刻数据金属层(data metal layer)时，由于倾斜增大，所以半导体层的侧壁包括越过数据金属层的侧壁延伸的突出部。

在此背景技术部分中披露的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此，可能会包含并不构成现有技术的信息。

发明内容

致力于在制造薄膜晶体管阵列面板时相对于数据线的侧壁来最小化半导体层的侧壁的突出部，做出了本发明。

本发明的其他特征将在以下描述中进行阐述，且部分地从描述中显而易见，或者可以从发明的实施中获知。

本发明的示例性实施方式提供了一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，该方法包括：在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上顺序形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、下数据金属层和上数据金属层；在上数据金属层上形成第一光敏膜图案，该第一光敏膜图案包括第一部分和比第一部分厚的第二部分；使用第一光敏膜图案作为掩模，通过蚀刻上数据金属层和下数据金属层来形成第一下数据金属图案和第一上数据金属图案，该第一上数据金属图案包括从其边缘突出的突出部；使用第一光敏膜图案作为掩模，通过蚀刻第一非晶硅层和第二非晶硅层来形成第一非晶硅层图案和第二非晶硅层图案；通过灰化第一光敏膜图案来形成第二光敏膜图案；通过使用第二光敏膜图案作为掩模蚀刻第一上数据金属图案来形成第二上数据金属图案；使用第二光敏膜图案作为掩模，通过蚀刻第一下数据金属图案、第一非晶硅层图案和第二非晶硅层图案来形成数据线和包括漏电极、半导体、欧姆接触层和源电极的薄膜晶体管；在数据线、漏电极和栅绝缘层上形成钝化层；以及在钝化层上形成像素电极，使得像素电极连接至漏电极。第一上数据金属图案和第一下数据金属图案可以底切(undercut，侧蚀)第一光敏膜图案。

根据本发明的示例性实施方式，可以相对于数据线的侧壁最小化半导体层的侧壁的突出部。

应理解，上述概括描述和下述详细描述是示例性的和说明性的，且旨在对所要求的本发明提供进一步的说明。

附图说明

附图被结合入申请文件中并构成申请文件的一部分，包含该附图以对本发明提供进一步的理解，该附图示出了本发明的实施方式，并与说明书一起用来解释本发明的原理。

图1是根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板的布局图。

图2是沿着图1的线II-II的截面图。

图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11是顺序示出根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板的制造方法的截面图。

图12(a)是根据现有技术的半导体层的侧壁突出部的电子显微照片，图12(b)是根据本发明示例性实施方式的半导体层的侧壁突出部的电子显微照片。

图13、图14、图15、图16、图17和图18是顺序示出根据本发明的另一个示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板的制造方法的示图。

具体实施方式

下文中，将参照附图更详细地描述本发明，在附图中示出了发明的示例性实施方式。本领域技术人员可理解，可以以各种不同的方式对所描述的实施方式进行修改，这均未脱离本发明的精神或范围。

在图中，为清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度被放大。在申请文件全文中，相同的参考标号表示相同的部件。应理解，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或者“连接至”另一元件或层时，可以直接在其他元件或层上或者直接连接至其他元件或层，或者可以存在插入元件或层。相反，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”或“直接连接至”另一元件或层时，不存在插入元件或层。