[发明专利]槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条N型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每条发射区的周围有P型的基区，基区的侧面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P型的槽形栅区和与P型槽形栅区正交的P型槽形栅区汇流条，每条P型槽形栅区的槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，发射极金属层与栅极金属层被钝化层覆盖，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：

发射区与基区为同一个扩散窗口；

覆盖发射极金属层的钝化层延伸到掺杂多晶硅层的上表面；

覆盖栅极金属层的钝化层延伸到P型槽形栅区汇流条的槽的底面。

2.如权利要求1所述的槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，其特征在于：

所述硅衬底片的N型的上层分为两层，靠上一层的电阻率高于靠下一层。

3.一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管的制造方法，其特征在于包括下列工艺步骤：

A.提供下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片；

B.在硅衬底片的上表面形成二氧化硅绝缘层；

C.选择性的掩蔽和腐蚀二氧化硅层，形成二氧化硅硬掩膜；

D.刻蚀二氧化硅硬掩膜下面的硅衬底深槽；

E.离子注入硼，并通过推进氧化形成P型槽形栅区、P型槽形栅区汇流条、槽的底面氧化层和槽的侧面氧化层；

F.选择性的掩蔽和腐蚀二氧化硅层，形成基区扩散窗口；

G.离子注入硼，并通过推进氧化形成P型基区和薄氧化层，同时进一步推进P型槽形栅区和P型槽形栅区汇流条；

H.腐蚀薄氧化层，形成发射区扩散窗口；

I.淀积多晶硅层，多晶硅层与发射区扩散窗口中的硅衬底片的上表面接触；

J.离子注入磷，形成N型掺杂多晶硅层，并通过扩散在硅衬底片上表面形成N型发射区；

K.选择性的掩蔽和刻蚀掺杂多晶硅层，在P型基区、P型槽形栅区和N型发射区的上方留有掺杂多晶硅层，而在P型槽形栅区汇流条的槽的底面的上方不留掺杂多晶硅层；

L.以掺杂多晶硅层为掩膜，腐蚀二氧化硅层，把P型槽形栅区汇流条的槽的底面的二氧化硅腐蚀干净，形成接触孔；

M.溅射金属层；

N.选择性的掩蔽和腐蚀金属层，形成互相分离的发射极金属层和栅极金属层；

O.淀积钝化层；

P.选择性的掩蔽和刻蚀钝化层，钝化层覆盖着发射极金属层和栅极金属层，将发射极压焊窗口和基极压焊窗口处的钝化层刻蚀干净。