[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110215382.6 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903668A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 龙镜丞 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体元件的制造方法，包括：
于一衬底中形成多个沟道，其中各所述沟道具有一第一侧壁及与该第一侧壁相对的一第二侧壁；
于所述沟道中分别形成多个导体结构，各所述导体结构具有一掺杂区，各所述掺杂区形成于各所述沟道的该第一侧壁中；
于该衬底上顺应性地形成一衬层，以覆盖所述导体结构；
进行一掺质植入步骤，以使该衬层形成一改质部分以及一未改质部分；
移除该衬层的一部分，以暴露出靠近所述沟道的所述第二侧壁处的部分所述导体结构；
以剩余的该衬层作为掩膜，移除部分所述导体结构，以形成多个开口；以及
于所述开口中填入多个隔离结构。
2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该掺质植入步骤所植入的掺质为氙，且被移除的部分该衬层为该改质部分。
3.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中该衬层的材料为氮化硅。
4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该掺质植入步骤所植入的掺质为二氟化硼，且被移除的部分该衬层为该未改质部分。
5.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中该衬层的材料为多晶硅。
6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该掺质植入步骤所植入的掺质剂量为5E13cm-2至1E15cm-2之间，能量为5KeV至25KeV之间，且以4°-8°的倾斜角植入该掺质。
7.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中在所述沟道中，各所述隔离结构与剩余的各所述导体结构的宽度比为1∶3至1∶2。
8.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述隔离结构的材料为氧化硅。
9.一种半导体元件，包括：
一衬底，该衬底中具有多个沟道，其中各所述沟道具有一第一侧壁及与该第一侧壁相对的一第二侧壁；
多个导体结构，分别配置于所述沟道的该第一侧壁上且覆盖所述沟道的部分底部，各所述导体结构具有一掺杂区，各所述掺杂区配置于各所述沟道的该第一侧壁中；以及
多个隔离结构，分别配置于所述导体结构与所述沟道的所述第二侧壁之间。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中在所述沟道中，各所述隔离结构与各所述导体结构的宽度比为1∶3至1∶2。
11.如权利要求9所述的半导体元件，其中所述隔离结构的材料为氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
