[发明专利]带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件及其生产方法

权利要求书

1.一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、IC芯片、内引脚、键合线及塑封体，其特征在于所述的内引脚（4）向内延伸靠近所述的载体（1），载体（1）缩小，载体（1）上粘接有第一IC芯片（3），第一IC芯片（3）上端粘接第二IC芯片（8），第二IC芯片（8）上端粘接第三IC芯片（10）；所述内引脚（4）底部凹坑（16）长度加长，每只内引脚（4）在靠近载体一侧底部形成一外露的 凸点（15），凹坑（16）的外侧底部是柱形外引脚（17），所述外露凸点（15）上面的内引脚（4）上打接第一键合线（5）、第三键合线（12）及第五键合线（13），第一键合线（5）另一端与第一IC芯片（3）焊接，第三键合线（12）另一端与第二IC芯片（8）焊接，第五键合线（13）另一端与所述第三IC芯片（10）焊接。

2.根据权利要求1所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，其特征在于所述第一IC芯片（3）与第二IC芯片（8）之间连接有第二键合线（9）；第二IC芯片（8）与第三IC芯片（10）之间连接有第四键合线（14）。

3.根据权利要求1或2所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，其特征在于所述的内引脚（4）向内延伸0.2mm～0.8mm。

4.根据权利要求1或2所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，其特征在于所述的载体（1）缩小0.4mm～1.6mm。

5.根据权利要求1或2所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，其特征在于所述内引脚底部的凹坑（16）长度加长0.2mm～0.5mm。

6.一种根据权利要求1所述的带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件的生产方法，其工艺步骤如下：

a．减薄

下层的第一IC芯片(3)减薄厚度150μm，粗糙度Ra 0.08mm,粗磨与细磨相结合工艺；上层的第二IC芯片（8）和第三IC芯片（10）减薄厚度50μm～75μm，粗糙度Ra 0.05mm，粗磨、细磨，抛光防翘曲工艺；

b划片

8〞～12〞划片机:WD300TXB,下层第一IC芯片(3)采用普通QFN划片工艺,上层第二IC芯片（8）和第三IC芯片（10）采用防碎片划片工艺；

 c上芯

粘片材料: 底层粘片采用膨胀系数80～195PPM/℃、低吸水率＜0.15%的导

电胶或绝缘胶，二层和三层芯片采用绝缘胶，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架,粘好一层芯片后，在175℃下，使用粘片胶烘烤工艺烘烤1小时，然后分别粘完二层和三层芯片，再在175℃下，使用粘片胶烘烤工艺烘烤2小时；                  

d.压焊

焊线材料选用金线,压焊采用低弧度压焊工艺,高低弧正反打线方式,焊线温度150℃～210℃；先在金线键合机上给第三IC芯片(10)和第二IC芯片(8)、第二IC芯片(8)和第一IC芯片3间焊线的焊盘上各植1 个金球，然后给第三IC芯片(10)和第二IC芯片(8)、第二IC芯片(8)和第一IC芯片(3)已植金球间打第四键合线(14)和第二键合线(9)，最后给IC芯片(10)、IC芯片(8)、IC芯片(3)和对应的脚间打第一键合线(5)、键合线第三(12)和第五键合线(13)；

 e.塑封

采用通用QFN自动包封系统, 模温165℃～180℃,注塑压力30～35Kgf/C㎡；

f.电镀和打印

同普通QFN工艺；

g.切割

将矩阵式框架封装产品按产品设计规格切割成单个电路,经检查后,放入料盘。

7.根据权利要求6所述的带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件的生产方法，其特征在于所述步骤c二层和三层芯片采用胶膜片（DAF膜）上芯，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架；先在粘片机上采用导电胶或绝缘胶粘完一层芯片，在175℃下采用防离层工艺烘烤1小时，然后采用胶膜片上芯，粘好二层和三层芯片，在150℃下采用防离层工艺烘烤2.5小时。

8.根据权利要求6所述的带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件的生产方法，其特征在于所述步骤d压焊采用铜线键合工艺：

设备：金丝球焊机和铜丝球焊机；

工具：与金线和铜线配套的劈刀线和铜线

工艺：

d.1先在金丝球焊机上，给上下层芯片打线的焊盘上各植1个金球；

d.2 在铜丝球焊机上，给上下芯片已植金球的焊盘上打第二键合线（9）和第四键合线（14）；

d.3 最后从第一IC芯片（3）与内引脚间焊线开始，逐一焊线，直到打完最上层第三IC芯片（10）与内引脚间的连线。