[发明专利]带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件及其生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子信息自动化元器件制造技术领域，特别是一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，本发明还包括该封装件的生产方法。

背景技术    

近年来，移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器市场火爆，直接推动了小型封装和高密度组装技术的发展。同时，也对小型封装技术提出了一系列严格要求，诸如，要求封装外形尺寸尽量缩小，尤其是封装高度小于1㎜；封装后的产品可靠性尽可能提高，为了保护环境适应无铅化焊接，并力求降低成本等。QFN（Quad Flat Non-Leaded Package方形扁平无引脚封装）由于具有良好的电和热性能、体积小、重量轻、其应用正在快速增长。但是目前如QFN（0505×0.75-0.50）～QFN（0909×0.75-0.50）载体较大，通常内引脚长度固定，靠近载体的内引脚底面已被蚀刻成凹坑，而当IC芯片较小时，从芯片焊盘到引脚部分的距离较大，由于靠近载体的引脚底面悬空，打线时会晃动，焊球打不牢，只能在靠近外露引脚部分打线，致使焊线长度长，造成焊线成本较高，制约了产品的利润空间。

发明内容

本发明所要解决的技术问题就是针对上述QFN缺点，提供一种缩小了载体尺寸，所有的内引脚向内延伸靠近载体，从芯片上的焊盘(PAD)到内引脚的距离缩短，从而缩短从芯片焊盘到内引脚的焊线长度，降低焊线成本，适合于小芯片的一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，本发明还提供该封装件的生产方法。

本发明的技术问题通过下述技术方案解决：

一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、IC芯片、内引脚、键合线及塑封体，所述的内引脚向内延伸靠近所述的载体，载体缩小，载体上粘接有第一IC芯片，第一IC芯片上端粘接第二IC芯片，第二IC芯片上端粘接第三IC芯片；所述内引脚底部凹坑长度加长，每只内引脚在靠近载体一侧底面形成一外露的凸点，凹坑外侧的底面是柱形外引脚，外露长度同普通QFN外引脚。所述外露凸点上面的内引脚上打接第一键合线、第三键合线及第五键合线，第一键合线另一端与第一IC芯片焊接，第三键合线另一端与第二IC芯片焊接，第五键合线另一端与所述第三IC芯片焊接。

所述第一IC芯片与第二IC芯片之间连接有第二键合线；第二IC芯片与第三IC芯片之间连接有第四键合线。

所述的内引脚向内延伸0.2mm～0.8mm。

所述的载体缩小0.4mm～1.6mm。

所述内引脚底部的凹坑长度加长0.2mm～0.5mm。

上述带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件的生产方法，其工艺步骤如下：

a．减薄

下层的第一IC芯片减薄厚度150μm，粗糙度Ra 0.08mm,粗磨与细磨相结合工艺；上层的第二IC芯片和第三IC芯片减薄厚度50μm～75μm，粗糙度Ra 0.05mm，粗磨、细磨，抛光防翘曲工艺；

b划片

8〞～12〞划片机:WD300TXB,下层第一IC芯片采用普通QFN划片工艺,上层第二IC芯片和第三IC芯片（10）采用防碎片划片工艺；

 c上芯

粘片材料: 底层粘片采用膨胀系数80～195PPM/℃、低吸水率＜0.15%的导

电胶或绝缘胶，二层和三层芯片采用绝缘胶，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架,粘好一层芯片后，在175℃下，使用粘片胶烘烤工艺烘烤1小时，然后分别粘完二层和三层芯片，再在175℃下，使用粘片胶烘烤工艺烘烤2小时；                  

d.压焊

焊线材料选用金线,压焊采用低弧度压焊工艺,高低弧正反打线方式,焊线温度150℃～210℃；先在金线键合机上给第三IC芯片和第二IC芯片、第二IC芯片和第一IC芯片间焊线的焊盘上各植个金球，然后给IC芯片和第二IC芯片、IC芯片和第一IC芯片已植金球间打第四键合线和第二键合线，最后给第三IC芯片、第二IC芯片、第一IC芯片和对应的脚间打第一键合线、键合线第三和第五键合线13；

 e.塑封

采用通用QFN自动包封系统,模温165℃～180℃,注塑压力30～35Kgf/cm²；

f.电镀和打印

同普通QFN工艺；

g.切割

将矩阵式框架封装产品按产品设计规格切割成单个电路,经检查后,放入料盘。