[发明专利]薄膜晶体管、具有此薄膜晶体管的像素结构及电路结构有效
| 申请号： | 201110216928.X | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102254938A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴贞仪;高逸群;黄俊尧 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 具有 像素 结构 电路 | ||
1.一种薄膜晶体管，配置于一基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：
一栅极；
一栅极绝缘层，覆盖于该栅极及该基板上；
一源极，配置于部份该栅极绝缘层上；
一通道层，配置于该栅极绝缘层上，且覆盖该栅极上方的部分该源极；以及
一漏极，配置于该通道层上且电性连接于该通道层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包括一缓冲层，配置于该源极与该通道层之间、该漏极与该通道层之间以降低接触阻抗。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包含一保护层，覆盖该源极、该通道层与该栅极绝缘层，且该保护层具有至少一孔洞暴露部份通道层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该漏极经由该孔洞电性连接该通道层。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该漏极更包含有一配置于该栅极以及该通道层正上方的延伸部。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，该延伸部及该通道层之间具有该保护层。
7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该孔洞是位于该栅极与该通道层的正上方。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包含一保护层，覆盖该源极、该通道层与该漏极。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道层更覆盖该栅极绝缘层上。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，该漏极更覆盖该栅极绝缘层上。
11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极接触该通道层的一源极接触区与该漏极接触该通道层的一漏极接触区在平行于该基板的一水平距离大于等于零。
12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极接触该通道层的一源极接触区与该漏极接触该通道层的一漏极接触区在平行于该基板的一水平距离小于3μm。
13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该通道层的材质包括一金属氧化物半导体、或一非晶硅半导体。
14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，该金属氧化物半导体包括铟镓锌氧化物。
15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该漏极的材质包括一透明导电材料。
16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该漏极的材质包括金属。
17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极具有相同的材质。
18.一种像素结构，其特征在于，包括：
权利要求1所述的薄膜晶体管；以及
一像素电极，该像素电极电性连接于该漏极。
19.根据权利要求18所述的像素结构，其特征在于，该像素电极和该漏极为同一膜层。
20.一种电路结构，其特征在于，包括权利要求1所述的薄膜晶体管。
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