[发明专利]可挠性电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，包括：

藉由一弱力介面层将一可挠性基板结合于一硬质基板上；

于该可挠性基板上形成多个阵列排列的电子元件，各该电子元件分别具有一功能部以及一环绕该功能部的拟部；

切割该可挠性基板与该硬质基板，以将该硬质基板分离为多个子基板，其中各该子基板上分别具有一个电子元件；

沿着各该功能部的至少部分边缘对该电子元件进行一非接触性切割，以于各该功能部与对应的该拟部之间形成一第一切割道；

沿着各该第一切割道对该可挠性基板与该弱力介面层进行一接触性切割，以于该可挠性基板与该弱力介面层中形成一第二切割道，其中该第二切割道使各该子基板的部分区域暴露；以及

将各该功能部与位于各该功能部下方的可挠性基板从各该子基板取下。

2.如权利要求1所述的可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，该弱力介面层的材质包括五环芳香烃、多环芳香烃或氢化氮化硅，该可挠性基板的材质包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚苯醚砜、聚碳酸酯、聚亚酰胺、环状烯腈聚合物或聚芳酯树脂，而该硬质基板的材质包括玻璃、聚碳酸酯或不锈钢板，且该些电子元件包括可挠性显示面板、可挠性发光元件、可挠式吸光元件、可挠式感应侦测器、可挠式电晶体、可挠式二极体、可挠式积体电路或可挠式印刷电路板。

3.如权利要求1所述的可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，于切割该可挠性基板与该硬质基板的步骤中，切割该可挠性基板与该硬质基板的方法包括机械切割。

4.如权利要求1所述的可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，该非接触性切割包括激光切割、电弧切割或等离子切割，其中该接触性切割包括固定式刀具切割、转动式刀轮切割或固定式刀模切割。

5.如权利要求4所述的可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，更包括：

在切割该可挠性基板与该硬质基板之前，沿着各该功能部的部分边缘对该电子元件、该可挠性基板与该弱力介面层进行一激光预切割，以于各该功能部与对应的该拟部之间形成一预切割道，其中该预切割道与该第一切割道使各该功能部与对应的该拟部分离。

6.如权利要求1所述的可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，更包括：

在切割该可挠性基板与该硬质基板之后，沿着各该功能部的部分边缘对该电子元件、该可挠性基板与该弱力介面层进行一激光预切割，以于各该功能部与对应的该拟部之间形成一预切割道，其中该预切割道与该第一切割道使各该功能部与对应的该拟部分离。

7.如权利要求1所述的可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，更包括：

在将各该功能部与位于各该功能部下方的可挠性基板从各该子基板取下之前，将该各该拟部与位于各该拟部下方的可挠性基板从各该子基板取下。

8.一种可挠性电子元件，其特征在于，包括：

一可挠性基板；以及

一电子元件，配置于该可挠性基板上，其中该电子元件具有一倾斜的侧壁。

9.如权利要求8所述的可挠性电子元件，其特征在于，该电子元件具有一与该可挠性基板接合的底表面和一与该底表面相对的顶表面，且该顶表面的面积小于该底表面的面积。

10.如权利要求8所述的可挠性电子元件，其特征在于，该倾斜的侧壁包括多个倾斜程度不同的子侧壁。