[发明专利]可挠性电子元件及其制造方法有效
申请号: | 201110217116.7 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN102280371A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 张展玮;方玮嘉;胡至仁 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/84;H01L23/14;G02F1/133 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性 电子元件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种电子元件及其制造方法,且特别是有关于一种可挠性电子元件及其制造方法。
背景技术
由于可挠性电子元件具有轻薄、可挠曲、耐冲击、安全性高以及方便携带等特性,因此可挠性电子元件势必会成为下一世代的主流。一般而言,制作可挠性电子元件的方式可大致上分为两种,其中一种方式是直接制作电子元件于可挠性基板上,另一种方式为间接转贴电子元件于可挠性基板上。若采用直接制作电子元件于可挠性基板上的方式来制作可挠性电子元件,则需先藉由粘着层将可挠性基板贴附于硬质基板上,之后再于可挠性基板上制作所需的电子元件。最后,再将可挠性基板及可挠性基板上的电子元件从硬质基板上取下。然而,由于可挠性基板是透过粘着层而紧密地贴附在硬质基板上,因此在将可挠性基板自硬质基板上取下的过程中,可挠性基板上的电子元件会有受损的可能性,进而使可挠性电子元件的制造良品率下降。对于此领域具有通常知识者而言,如何改善可挠性基板的取下过程所导致的良品率下降问题,实为亟待解决的课题之一。
发明内容
本发明提供一种可挠性电子元件的制造方法,以提高可挠性电子元件的制造良品率。
本发明提供一种可挠性电子元件,其具有高制造良品率。
本发明提供一种可挠性电子元件的制造方法,其包括下列步骤。藉由弱力介面层将可挠性基板结合于硬质基板上。于可挠性基板上形成多个阵列排列的电子元件,各电子元件分别具有功能部(active portion)以及环绕功能部的拟部(dummy portion)。切割可挠性基板与硬质基板,以将硬质基板分离为多个子基板,其中各子基板上分别具有一个电子元件。沿着各功能部的至少部分边缘对电子元件进行非接触性切割,以于各功能部与对应的拟部之间形成第一切割道。沿着各第一切割道对可挠性基板与弱力介面层进行接触性切割,以于可挠性基板与弱力介面层中形成第二切割道,其中第二切割道使各子基板的部分区域暴露。将各功能部与位于各功能部下方的可挠性基板从各子基板取下。
在本发明的一实施例中,前述的弱力介面层的材质包括五环芳香烃(perylene)、多环芳香烃(poly aromatic hydrocarbon)或氢化氮化硅(SiNx:H),而前述的可挠性基板之材质包括聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚砜、聚苯醚砜(Polyethersulfone,PES)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚亚酰胺(polyimide,PI)、环状烯腈聚合物(Cyclic Olefin Polymer,ARTON)或聚芳酯树脂(polyarylate resin,PAR),而前述的硬质基板的材质包括玻璃、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)或不锈钢板(rustless steel sheet),且前述的电子元件包括可挠性显示面板、可挠性发光元件、可挠式吸光元件、可挠式感应侦测器、可挠式电晶体、可挠式二极体、可挠式积体电路或可挠式印刷电路板。
在本发明的一实施例中,前述的切割可挠性基板与硬质基板以分离出多片子基板的步骤中,切割可挠性基板与硬质基板的方法包括机械切割。
在本发明的一实施例中,前述的非接触性切割包括激光切割、电弧切割或等离子切割,其中接触性切割包括固定式刀具切割、转动式刀轮切割或固定式刀模切割。
在本发明的一实施例中,前述的可挠性电子元件的制造方法可进一步包括:在切割可挠性基板与硬质基板之前,沿着各功能部的部分边缘对电子元件、可挠性基板与弱力介面层进行激光预切割,以于各功能部与对应的拟部之间形成预切割道,其中预切割道与第一切割道使各功能部与对应的拟部分离。
在本发明的一实施例中,前述的可挠性电子元件的制造方法可进一步包括:在切割可挠性基板与硬质基板之后,沿着各功能部的部分边缘对电子元件、可挠性基板与弱力介面层进行激光预切割,以于各功能部与对应的拟部之间形成预切割道,其中预切割道与第一切割道使各功能部与对应之拟部分离。
在本发明的一实施例中,前述的可挠性电子元件的制造方法可进一步包括:在将各功能部与位于各功能部下方的可挠性基板从各子基板取下之前,将各拟部与位于各拟部下方的可挠性基板从各子基板取下。
本发明提供一种可挠性电子元件,其包括可挠性基板以及电子元件。电子元件配置于可挠性基板上,其中电子元件具有倾斜的侧壁(tapered sidewall)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造