[发明专利]一种围栅结构MOSFET阈值电压解析模型无效
| 申请号： | 201110219237.5 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102254072A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 梅光辉;李佩成;胡光喜;倪亚路;刘冉 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 mosfet 阈值 电压 解析 模型 | ||
【权利要求书】：
1.一种围栅结构MOSFET阈值电压解析模型，其特征在于该阈值电压模型的解析式为：
其中，栅氧化层 ，a为围栅MOSFET器件半径，tox为栅极氧化层厚度；和为硅和栅极氧化物的介电常数；L为围栅MOSFET器件沟道长度；q为电子电量；, 为源极的电势，为内建电势；是漏极相对于源极电压；，为栅极相对于源极的电压；为平带电压，为虚电极处费米能级，费米能级，是本征载流子浓度，为沟道区掺杂浓度，是热电压，为虚电极的位置 ；
式中，
是一维电势分布，是特征值；是n阶贝塞尔函数；是贝塞尔-傅里叶系数，特征值满足： 。
2.根据权利要求1所述的围栅结构MOSFET阈值电压解析模型，其特征在于n=3。
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