[发明专利]石英晶体谐振器用的低温陶瓷整板式平基板基座

说明书

技术领域

本发明涉及石英晶体谐振器技术领域，特别是涉及一种石英晶体谐振器用的低温陶瓷整板式平基板基座。

背景技术

石英晶体谐振器业界目前都使用高温陶瓷(HTCC)通过单一基座进行封装的方式，随着产量与材料成本要求未来趋势势必改为低温陶瓷(LTCC)整板式平基板来增加进行积体化生产，其中最难克服的问题为如何在整板接导通的情况下对单一基座进行频率调整制程。综观现有的低温陶瓷(LTCC)整板式平基板设计(见图1、图2和图3)，芯片座3和枕座4设置在低温陶瓷基座1上，通过灌孔5内壁立体圆壁面披覆导通的方式来解决电镀或化学镀银/铜层导线2，但此法仍因各个单一基座互相导通导致无法在整板状况下进行频率调整，而必须在切割成为单一基座后才能克服，故无法实现积体化生产构想。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种石英晶体谐振器用的低温陶瓷整板式平基板基座，满足石英晶体谐振器积体化生产需求。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种石英晶体谐振器用的低温陶瓷整板式平基板基座，包括低温陶瓷基座、银/铜层导线、芯片座、枕座和灌孔；所述低温陶瓷基座由至少两个单一基座组成，所述单一基座上设有石英芯片区域，所述的银/铜层导线、芯片座、枕座均在所述低温陶瓷基座上方；所述单一基座的左右两侧均设有凹陷；所述两个单一基座组合后，左右两侧的凹陷形成所述灌孔；所述灌孔为低温陶瓷平基板基座在未切割前用于连接单一基座作为电镀或化学镀的导通线路；所述芯片座设置在石英芯片区域的一端，所述枕座设置在石英芯片区域的另一端；所述灌孔与所述芯片座通过所述银/铜层导线相连；所述银/铜层导线在单一基座周围以单面形式进行导通。

所述银/铜层导线为在银层导线上通过电镀或化学镀方式披覆铜层导线。

所述单一基座上设有两个芯片座，其中，一个芯片座通过银/铜层导线与位于单一基座左侧的灌孔相连，另一个芯片座通过银/铜层导线与位于单一基座右侧的灌孔相连。

所述的低温陶瓷基座采用LTCC低温陶瓷制成。

所述的银/铜层导线在预切割后，单一基座间将互不导通。

有益效果

由于采用了上述的技术方案，本发明与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本发明通过改变灌孔位置，并利用单一基座周围单面导通方式改善了整板无法频率调整的问题，从而满足石英晶体谐振器积体化生产需求。

附图说明

图1是现有技术中低温陶瓷整板式平基板中单一基座内部结构俯视图；

图2是现有技术中低温陶瓷整板式平基板中单一基座内部结构前视图；

图3是现有技术中低温陶瓷整板式平基板内部结构俯视图；

图4是本发明的低温陶瓷整板式平基板中单一基座内部结构俯视图；

图5是本发明的低温陶瓷整板式平基板中单一基座内部结构前视图；

图6是本发明的低温陶瓷整板式平基板内部结构俯视图；

图7是本发明的低温陶瓷整板式平基板经预切割后的内部结构俯视图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

本发明的实施方式涉及一种石英晶体谐振器用的低温陶瓷整板式平基板基座，如图5所示，包括低温陶瓷基座1、银/铜层导线2、芯片座3、枕座4和灌孔5；所述低温陶瓷基座1由至少两个单一基座组成，如图3和图4所示，所述单一基座上设有石英芯片区域。所述的银/铜层导线2、芯片座3、枕座4均在所述低温陶瓷基座1上方。所述单一基座的左右两侧均设有凹陷，所述两个单一基座组合后，左右两侧的凹陷形成所述灌孔5。所述灌孔5为低温陶瓷平基板基座1在未切割前用于连接单一基座作为电镀或化学镀的导通线路。所述芯片座3设置在石英芯片区域的一端，所述枕座4设置在石英芯片区域的另一端，所述灌孔5与所述芯片座3通过所述银/铜层导线相连。如图3、图4和图5所示，单一基座上设有两个芯片座3，其中，一个芯片座3通过银/铜层导线2与位于单一基座左侧的灌孔5相连，另一个芯片座3通过银/铜层导线2与位于单一基座右侧的灌孔5相连，所述银/铜层导线2在单一基座周围以单面形式进行导通。其中，低温陶瓷基座1采用LTCC低温陶瓷制成。

如图7所示，银/铜层导线2在预切割后，单一基座间将互不导通。单一基座的体积不大于2.04*1.64*0.25mm。不难发现，本发明通过改变灌孔位置，并利用单一基座周围单面导通的方式改善了整板无法频率调整的问题，从而满足石英晶体谐振器积体化生产需求。