[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

具有第一节点和第二节点的电阻变化型存储元件；

连接到上述电阻变化型存储元件的第一节点上的第一选择线；以及

连接到上述电阻变化型存储元件的第二节点上的第二选择线，

其中，上述电阻变化型存储元件在上述第一节点和上述第二节点之间施加正向和反向的偏置电压来进行数据的置位和复位，

该半导体存储器件还包括：

读出放大器，放大设定参考电位和由上述电阻变化型存储元件的电阻值产生的电位之间的电位差；

放大控制单元，使上述读出放大器进行放大工作；

写入单元，开始对上述电阻变化型存储元件进行数据的置位或复位工作，并且接收上述读出放大器的输出信号，根据该接收到的输出信号来停止上述数据的置位和复位工作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述读出放大器兼用作在数据读出时使用的数据读出用读出放大器，

还包括置位用、复位用以及数据读出用的参考电位生成单元，分别将上述设定参考电位生成为数据写入时的置位用的参考电位、复位用的参考电位以及数据读出时的参考电位。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述写入单元根据上述数据读出用读出放大器的输出信号来停止上述数据的置位和复位工作。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，

具有读出数据输出电路，该读出数据输出电路将上述数据读出用读出放大器的输出信号向外部输出，

上述写入单元经由上述读出数据输出电路来接收上述数据读出用读出放大器的输出信号，

在数据写入的置位和复位时，上述数据读出用读出放大器和上述读出数据输出电路在与数据读出工作相同的时刻被启动。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述数据写入的置位用、复位用以及数据读出用的3个参考电位生成单元，在数据写入的置位时、复位时以及数据读出时具有与该数据写入或读出对象的电阻变化型存储元件中流过的电流路径相同的电流路径，并且在其电流路径上具有电压分压用的多个电阻元件，基于置位指令、复位指令以及读出指令而被选择。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

还包括发生上述设定参考电位的参考电位发生电路，

上述参考电位发生电路包括：

第一P沟道晶体管，其源极连接着用于数据写入的电源；

第二P沟道晶体管，其源极连接着用于数据读出的电源；

电压分压用的多个电阻元件，其与上述第一P沟道晶体管和上述第二P沟道晶体管共同连接；以及

选择单元，其选择上述第一P沟道晶体管和上述第二P沟道晶体管中的一个。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述放大控制单元在第一状态下使上述读出放大器始终进行放大工作，

上述写入单元在第二状态下开始对上述电阻变化型存储元件进行数据的置位或复位工作，并且接收上述读出放大器的输出信号，根据该接收到的输出信号来停止上述数据的置位和复位工作。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述第一状态为数据写入时，上述第二状态为数据写入的置位和复位时。