[发明专利]一种制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成图案化的光致抗蚀剂层，

对所述光致抗蚀剂层进行等离子体预处理，以减小图案化的光致抗蚀剂层的线宽粗糙度，以及

对衬底进行刻蚀，形成图案化的衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体预处理步骤包括：

第一预处理，使用溴化氢和惰性气体的混合气体或者使用甲烷和惰性气体的混合气体对所述光致抗蚀剂层进行等离子体处理，

其中当在第一预处理中使用甲烷和惰性气体的混合气体对所述光致抗蚀剂层进行等离子体处理时，所述甲烷的分压大于或等于所述惰性气体的分压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一预处理的气压为5-15mTorr。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一预处理的气压为5-10mTorr。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一预处理的温度为35-55℃。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一预处理的时间为5-15秒。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一预处理的时间为5-9秒。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述惰性气体为氦气，所述溴化氢和氦气的分压比为3∶1至5∶1。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所述惰性气体为氩气，所述溴化氢和氩气的分压比为5∶1至10∶1。

10.根据权利要求2所述的方法，其中所述惰性气体为氦气，所述甲烷和氦气的分压比为2∶1至3∶1。

11.根据权利要求2所述的方法，其中所述惰性气体为氩气，所述甲烷和氩气的分压比为1∶1至2∶1。

12.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一预处理中通过射频发生器产生等离子体，所述射频发生器的射频功率为300W～900W，频率为10MHz-60MHz。

13.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体预处理步骤包括：

第二预处理，使用惰性气体和甲烷的混合气体对所述光致抗蚀剂层进行等离子体处理，其中所述惰性气体的分压大于所述甲烷的分压。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述惰性气体为氩气，所述氩气与甲烷的分压比为3∶1至8∶1。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述惰性气体为氩气，所述氩气与甲烷的分压比为4∶1至5∶1。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述惰性气体为氦气，所述氦气与甲烷的分压比为4∶1至10∶1。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述惰性气体为氦气，所述氦气与甲烷的分压比为4∶1至6∶1。

18.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二预处理的气压为5-15mTorr。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二预处理的气压为8-12mTorr。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二预处理的温度为35-55℃。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二预处理的温度为48-52℃。

22.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二预处理的时间为5-15s。

23.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二预处理的时间为8-10s。

24.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二预处理中通过射频发生器产生等离子体，所述射频发生器的射频功率为300W～900W，频率为10MHz-60MHz。

25.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底上覆盖有硬掩模。

26.根据权利要求25所述的方法，其中所述硬掩模为TiN。

27.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂层为单层光致抗蚀剂或三层光致抗蚀剂。

28.根据权利要求27所述的方法，其中所述三层光致抗蚀剂包括低温氧化物LTO层、硅Si底部抗反射涂层和无定形碳层。