[发明专利]用于端子的侧镀的激光加工

权利要求书

1.一种制备集成电路(IC)封装的端子所在侧的用于焊剂的部分的方法，所述方法包括如下步骤：

将IC晶粒附接到引线框架，所述引线框架包括具有厚度的汇流排；

减小所述汇流排的一部分的厚度，所述厚度减小部分具有宽度；

用模制化合物包模所述引线框架；

用激光从所述汇流排的所述厚度减小部分移除所述模制化合物；

用焊剂可湿材料涂覆所述汇流排的所述厚度减小部分；和

在所述汇流排的所述厚度减小部分内贯穿切割所述汇流排的厚度，其中切割口的宽度小于所述汇流排的所述厚度减小部分的宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，减小所述汇流排的一部分的厚度的步骤包括蚀刻所述汇流排。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架和所述汇流排具有底面，并且其中所述包模所述引线框架的步骤包括施加胶带到所述引线框架和所述汇流排的底面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述涂覆所述汇流排的所述厚度减小部分的步骤包括将金属镀覆到所述汇流排上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，锯切割位于所述汇流排的所述厚度减小部分的中心。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，贯穿所述汇流排的厚度切割的步骤包括锯穿所述模制化合物的整个厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述引线框架具有顶部和在所述顶部的相反侧的底部；

所述汇流排具有顶部和在所述顶部的相反侧的底部；

所述汇流排的底部与底面共面；

所述减小所述汇流排的一部分的厚度的步骤包括从所述汇流排的底部移除材料；

所述用模制化合物包模所述引线框架的步骤包括将所述模制化合物施加于所述引线框架的所述顶部，和形成位于所述底面的具有底部的单体层，其中所述汇流排的材料已经被移除的部分保持暴露。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述IC晶粒具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

所述将IC晶粒附接到引线框架的步骤包括：将所述第一表面附接到引线框架；

所述引线框架被构造成使得所述引线框架的一部分或者所述IC的所述第二表面与所述底面共面；并且

所述用模制化合物包模所述引线框架的步骤包括所述引线框架保持暴露或者所述IC的所述第二表面保持暴露。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将IC晶粒附接至引线框架的步骤包括将多个IC晶粒附接至引线框架条带，所述引线框架条带具有多个晶粒附接部位和与每个晶粒附接部位关联的至少一个汇流排。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述用模制化合物包模所述引线框架的步骤包括包模所述引线框架条带的一部分以形成板料。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述引线框架条带具有底面，并且所述用模制化合物包模所述引线框架条带的步骤包括将胶带施加于所述引线框架条带的所述底面。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述贯穿切割所述汇流排的厚度的步骤包括通过在晶粒附接部位之间贯穿切割所述汇流排将所述框架分割成为单个的IC器件，所述单个的IC器件具有邻接所述底面的侧，其中，至少一个汇流排在至少一侧上暴露。

13.一种产生可目视检查端子的方法，所述方法包括如下步骤：

蚀刻引线框架的汇流排，其中所述汇流排具有下侧，并且所述蚀刻从所述下侧移除所述汇流排的一部分上的材料，所蚀刻部分具有宽度；

以足够的能量和足够的持续时间激光照射所述汇流排的所述蚀刻部分以从所述蚀刻部分移除材料；

用焊剂可湿材料涂覆所述汇流排的所述蚀刻部分；和

贯穿切割所述汇流排的所述蚀刻部分，其中切割的宽度小于所述蚀刻部分的宽度。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述贯穿切割所述汇流排的所述蚀刻部分的步骤包括从由多个引线框架构成的框架分割IC封装，其中所述汇流排在所述框架中被连接在引线框架之间。