[发明专利]用于端子的侧镀的激光加工有效
申请号: | 201110220839.2 | 申请日: | 2011-08-03 |
公开(公告)号: | CN102347225A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 爱德华·W·奥尔森 | 申请(专利权)人: | 凌力尔特有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/60 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 美国加州米*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 端子 激光 加工 | ||
技术领域
本发明总地涉及集成电路(IC)封装,并且更特别地,涉及镀覆和分割IC封装的方法。
背景技术
上面形成有集成电路的硅芯片非常的小,使得它们对损伤是敏感的并且难以操作,并且许多IC芯片被封装在壳体中以保护芯片并且提供能被附接到基板比如印制电路板(PCB)上的电路的较大的接点引线。组装该类型的IC封装的常见方法是在IC封装的组装过程中将作为机械支架的“引线框架”附接到晶粒(die)。引线框架的一部分被剪切而仅留下引线以提供制成品的外部连接部。引线框架包括“晶粒粘结焊垫(die attach pad)”和“引线”,晶粒附接到“晶粒粘结焊垫”,并且“引线”提供外部电气连接。晶粒、粘结剂、配线和引线框架被封闭在外壳中,所述外壳可以是模制的塑料部件或者是模制化合物(mold compound)的外模,其中端子在所述外壳的外表面上暴露。
在特定构造的IC封装中,比如双边扁平无引脚(DFN)封装或者方形扁平无引脚封装(QFN),端子暴露于IC封装的下侧。图1A和图1B绘出了典型IC封装,该典型IC封装的端子不从外壳突出而是在IC封装的下侧和侧面暴露,其中图1A是俯视图,图1B是同一IC封装的仰视图。这种IC封装的构造是紧凑的并且使将IC封装安装在PCB上所需要的面积最小化。这种类型的IC封装的一个困难在于不能目视地检测端子与PCB的接触焊垫之间的焊点。必须使用X-射线图像来进行对该类型的IC封装的焊点的检测。
已经发现,在端子的外侧下角处产生缺口会在生成良好的焊点时产生焊接圆角(solder fillet)。替换用X-射线照射焊点以确认已经形成良好焊点来检测该焊接圆角是可能的。取消X-射线检测可以降低产品线的成本和复杂性并提高生产率。在Fogelson等人的美国专利第6608366号中公开了通过锯切产生缺口。所公开的工艺要求第一半厚度锯切产生缺口,并要求第二较薄锯切以分割IC封装。锯片在IC封装的制造过程中是显著的花费,并且在分割之前需要进行半厚度锯切增加了制造工艺的成本。
发明内容
存在对于在IC封装制造工艺中在引线框架的汇流排中产生缺口的低成本方法的需要。使用激光从蚀刻槽移除模制化合物使得不需要在IC封装已经被包模之后进行半厚度锯切,并且可以总体上节约制造工艺中的成本。
在一定的实施方式中,公开了镀覆集成电路(IC)封装的端子所在侧的一部分的方法。所述方法包括如下步骤:将IC晶粒附接到引线框架,所述引线框架包括具有厚度的汇流排;减小所述汇流排的一部分的厚度,所述厚度减小部分具有宽度;用模制化合物包模所述引线框架;用激光从所述汇流排的所述厚度减小部分移除所述模制化合物;用焊剂可湿(solder-wettable)材料涂覆所述汇流排的所述厚度减小部分;和在所述汇流排的所述厚度减小部分内贯穿切割所述汇流排的厚度,其中所述切割口的宽度小于所述汇流排的所述厚度减小部分的宽度。
在一定的实施方式中,公开了产生生成能够被目视检查的焊剂端子的方法。所述方法包括如下步骤:蚀刻引线框架的汇流排,其中所述汇流排具有下侧,并且所述蚀刻从所述下侧移除所述汇流排的一部分上的材料,所蚀刻部分具有带宽度的面;以足够的能量和足够的持续时间激光照射所述汇流排的所述蚀刻部分以从所述蚀刻部分移除材料;用焊剂可湿材料涂覆所述汇流排的蚀刻部分;和贯穿切割所述汇流排的所述蚀刻部分,其中所述切割口具有的宽度小于所述蚀刻部分的宽度。
附图说明
被包括用以提供进一步的理解并且被整合在说明书中且构成说明书的一部分的附图示出了所公开的实施方式并且与说明书一起用以解释所公开的实施方式的原理。在附图中:
图1A至图1B是具有在封装主体的底部暴露的端子的QFN IC封装的透视图。
图2A是引线框架的框架的透视图。
图2B是QFN器件的框架的一部分的平面图。
图3A是根据本公开的特定方面的、在IC块已经被附接到晶粒粘结焊垫并且框架已经包模之后,图2中的引线框架的框架的一部分的截面图。
图3B至图3D绘出了根据本公开的特定方面来产生斜削的端子的工艺步骤。
图4A至图4B示出了根据本公开的特定方向的、具有斜削的端子的IC封装与具有标准端子的IC封装之间的比较。
图5示出了根据本公开的特定方面的由斜削的端子被附接到PCB之后产生的焊点。
图6是示出根据本公开的特定方面的形成斜削的端子的工艺的流程图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凌力尔特有限公司,未经凌力尔特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110220839.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:推演心电图生成系统以及推演心电图生成方法
- 下一篇:视频信号的色空间匹配
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造