[发明专利]在浮动地电位集成电路中提供绝对信息的电路与方法

权利要求书

1.一种在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，该集成电路工作于一高电位和一浮动地电位之间，其特征在于，该方法包含：

接收一带有绝对信息的绝对信息感测讯号；

将该绝对信息感测讯号转换为一电流讯号；以及

根据该电流讯号，产生一内部参考讯号，且该内部参考讯号本身或该内部参考讯号相对于浮动地电位的关系与该绝对信息相关。

2.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该内部参考讯号为电流形式，并相等于该电流讯号或为该电流讯号的比例值。

3.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该根据电流讯号产生一内部参考讯号的步骤包含：将该电流讯号转换为一成比例的电压，并将该电压叠加至该浮动地电位上，以产生该内部参考讯号。

4.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，还包含：将该内部参考讯号耦接至一低通滤波电路或一峰值侦测电路，以根据该内部参考讯号产生一直流讯号。

5.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该将绝对信息感测讯号转换为电流讯号的步骤以一晶体管达成，该晶体管的控制端接收该高电位或该浮动地电位，其另两端之一接收该绝对信息感测讯号，以在该晶体管的电流流入端产生该电流讯号。

6.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该将绝对信息感测讯号转换为电流讯号的步骤以一晶体管达成，该晶体管形成于一基板，包括：

一隔离第一导电型本体，该第一导电型本体位于该基板表面下；

一栅极，于该基板表面上，用以接收一栅极电压；

第二导电型源极与漏极，位于该第一导电型本体中该栅极的两侧；以及

一第一导电型本体极，位于该第一导电型本体中，且与该源极耦接，用以共同接收该绝对信息感测讯号。

7.如权利要求6所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该晶体管更包含一第二导电型隔离层，将该第一导电型本体包围在内，且该第二导电型隔离层与一第一电压耦接，其中该第一导电型本体与该第二导电型隔离层间具有一PN接面顺向偏压，且该栅极电压小于该第一电压、该晶体管的临界电压、及该PN接面顺向偏压的总和。

8.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该将绝对信息感测讯号转换为电流讯号的步骤以一晶体管达成，该晶体管形成于一基板，包括：

一隔离第一导电型集极区，该第一导电型集极区位于该基板表面下；

一第一导电型集极电极，位于该第一导电型集极区中；

一第二导电型基极区，位于该第一导电型集极区中；

一第二导电型基极电极，位于该第二导电型基极区中；以及

一第一导电型射极电极，位于该第二导电型基极区中。

9.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该将绝对信息感测讯号转换为电流讯号的步骤以一晶体管达成，该晶体管形成于一基板，包括：

一隔离第一导电型基极区，位于该基板表面下；

一第一导电型基极电极，位于该第一导电型基极区中；

一第二导电型集极电极，位于该第一导电型基极区中；以及

一第二导电型射极电极，位于该第一导电型基极区中。

10.如权利要求9所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该晶体管在该隔离第一导电型基极区下方更包含一第一导电型高浓度掺杂区。

11.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该绝对信息感测讯号为脉宽调变讯号或模拟讯号的形式，由一调光电路根据一调光讯号而产生。

12.如权利要求1所述的在浮动地电位集成电路提供绝对信息的方法，其中，该内部参考讯号至少用以提供以下功能之一：调光控制、重现一输入电压相对于绝对地电位的波形、TRIAC调光、判断TRIAC调光的启动时间、调整TRIAC调光的调光比例、低电压锁定、分辨高线输入或低线输入、功因校正、边界导通控制、或以交流电力线开关控制调光。