[发明专利]在浮动地电位集成电路中提供绝对信息的电路与方法有效

专利信息
申请号: 201110220874.4 申请日: 2011-07-28
公开(公告)号: CN102404912A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 廖家玮;罗伦;刘景萌;邱仁炼 申请(专利权)人: 立锜科技股份有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈肖梅;谢丽娜
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 浮动 电位 集成电路 提供 绝对 信息 电路 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种在浮动地电位集成电路中提供绝对信息的电路与方法。 

背景技术

集成电路在操作时需要高电位(经常表示为VDD)与地电位(经常表示为VSS或GND)。一般而言,集成电路中的地电位是固定的0V,例如图1现有技术即是如此,其地电位接脚GND连接于地(0V)。但在某些情况下,为了降低高电位与地电位之间的压差,使集成电路内部的元件可使用较低规格的元件来制作,现有技术中提出浮动地电位的做法。请参阅图2,此为一种发光二极管(LED)驱动电路,其中功率晶体管Q、二极管DF、电感L构成降压型功率转换电路,集成电路100控制功率晶体管Q的切换操作,将跨于输入电容Cin上的输入电压Vin转换为跨于输出电容Cout上的输出电压Vout,提供给LED使用。感测电阻Rcs产生电流感测讯号,传送至集成电路内部,以回授控制LED的电流。此现有技术中,集成电路的地电位接脚VSS连接于节点PH,当功率晶体管Q导通时,节点PH的电压等于输入电压Vin减去功率晶体管Q的导通电阻和感测电阻Rcs所造成的压降,当功率晶体管Q不导通时,节点PH的电压等于0V减去二极管DF的压降,所以节点PH的电位并不是固定的,亦即该集成电路的地电位VSS是浮动的。以下在本文中,为使名词一目了然便于区分其意涵,将以GND表示绝对地电位,以VSS表示浮动地电位(虽然业界也常以VSS表示绝对地电位,但本文中将以VSS专指浮动地电位)。 

图2现有技术固然能降低集成电路高电位与地电位间的压差而有其优点,但其问题是,应用此集成电路的系统用以控制此集成电路或 需要传送给此集成电路的讯号都是相对于绝对地电位的讯号(以下以“绝对讯号”一词来统称相对于绝对地电位的讯号,其例如可能是模拟或数字的一个或一串控制讯号、或是一个或多个电压位准,等等),而此种现有技术因为浮动地电位之故,便无法、或是必须用复杂的电路与方式,才能接受这些控制讯号或电压位准以达成控制功能。 

有鉴于以上所述,本发明即针对现有技术的不足,提出一种在浮动地电位集成电路中提供绝对信息的电路与方法,使集成电路不需要复杂的电路与方式,便可以得知绝对讯号所要传递的信息如控制讯号或电压位准等(以下统称“绝对信息”),而得以达成相关的控制功能。 

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种在浮动地电位集成电路中提供绝对信息的电路与方法。 

为达上述目的,就其中一个观点言,本发明提供了一种在浮动地电位集成电路中提供绝对信息的方法,该集成电路工作于一高电位和一浮动地电位之间,方法包含:接收一带有绝对位准的绝对信息感测讯号;将该绝对信息感测讯号转换为一电流讯号;以及根据该电流讯号,产生一内部参考讯号,且该内部参考讯号本身或该内部参考讯号相对于浮动地电位的关系具有与该绝对位准相关的信息。 

就另一个观点言,本发明提供了一种在浮动地电位集成电路中提供绝对信息的电路,该集成电路工作于一高电位和一浮动地电位之间,该提供绝对信息的电路包含:一晶体管,其具有电流流入端、电流流出端、及一控制端,其中该电流流入端或电流流出端接收一带有绝对位准的绝对信息感测讯号,该控制端接收一控制电压,以在其电流流入端产生一电流讯号;以及一内部参考讯号产生电路,其提供该控制电压控制晶体管,并根据该电流讯号转换产生一内部参考讯号,且该 内部参考讯号本身或该内部参考讯号相对于浮动地电位的关系具有与该绝对位准相关的信息。 

该内部参考讯号至少可用以提供以下功能之一:调光控制、重现一输入电压相对于绝对地电位的波形、TRIAC调光、判断TRIAC调光的启动时间、调整TRIAC调光的调光比例、低电压锁定、分辨高线输入或低线输入、功因校正、边界导通控制、或以交流电力线开关控制调光。 

在其中一种实施型态中,该内部参考讯号为电流讯号,并相等于该电流讯号或为该电流讯号的比例值。 

在其中一种实施型态中,该内部参考讯号产生电路将该电流讯号转换为一成比例的电压,并将该电压叠加至该浮动地电位上,以产生该内部参考讯号。 

在其中一种实施型态中,该晶体管的控制电压为该高电位或该浮动地电位。 

在其中一种实施型态中,该晶体管形成于一基板,包括:一隔离第一导电型本体,该第一导电型本体位于该基板表面下;一栅极,于该基板表面上,用以接收一栅极电压;第二导电型源极与漏极,位于该第一导电型本体中该栅极的两侧;以及一第一导电型本体极,位于该第一导电型本体中,且与该源极耦接,用以共同接收该绝对信息感测讯号。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立锜科技股份有限公司,未经立锜科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110220874.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top