[发明专利]转换速率促进电路、具有该电路的输出缓冲器及其方法

权利要求书

1.一种用于输出缓冲器的转换速率促进电路，所述输出缓冲器包括上拉单元和下拉单元，所述上拉单元通过接收缓冲器输入信号并执行上拉操作来提供第一电平的缓冲器输出信号，所述下拉单元通过接收缓冲器输入信号并执行下拉操作来提供具有与第一电平相反相位的第二电平的缓冲器输出信号，所述电路包括：

第一比较器，被配置为通过输入第一输入信号和第二输入信号来产生第一促进信号，所述第一促进信号被配置为促进所述输出缓冲器的下拉单元的下拉操作；以及，

第二比较器，被配置为通过输入第一输入信号和第二输入信号来产生第二促进信号，所述第二促进信号被配置为促进所述输出缓冲器的上拉单元的上拉操作。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，

第一输入信号包括缓冲器输入信号；以及，

第二输入信号包括缓冲器输出信号。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，第一比较器还被配置为响应于缓冲器输入信号从低电平改变到高电平而产生第一促进信号。

4.根据权利要求3所述的电路，其中，第一比较器还被配置为在产生第一促进信号之后被停止。

5.根据权利要求3所述的电路，其中，第一比较器包括：

第一比较单元，被配置为接收第一输入信号和第二输入信号并比较第一输入信号与第二输入信号；以及，

第一信号产生单元，被配置为根据第一比较单元的输出信号产生第一促进信号。

6.根据权利要求5所述的电路，其中，

上拉单元包括：

PMOS晶体管；以及，

电流镜，包括一对PMOS晶体管；以及，

下拉单元包括：

NMOS晶体管；以及，

电流镜，包括一对NMOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的电路，其中，

第一比较单元，包括被配置为用于差分放大的一对晶体管，所述一对晶体管中第一输入信号和第二输入信号被提供给各自的栅极；以及，

第一比较单元的输出信号被提供给所述一对晶体管中被提供第一输入信号的晶体管的漏极。

8.根据权利要求7所述的电路，其中，第一信号产生单元包括：

第一PMOS晶体管，被配置为基于第一偏置信号执行电流镜操作；以及

第二PMOS晶体管，连接到第一PMOS晶体管并被配置为基于第一比较单元的输出信号产生第一促进信号，

其中，第一信号产生单元还被配置为将第一促进信号提供给下拉单元的电流镜。

9.根据权利要求2所述的电路，其中，第二比较器还被配置为响应于缓冲器输入信号从低电平改变到高电平而产生第二促进信号。

10.根据权利要求9所述的电路，其中，第二比较器包括：

第二比较单元，被配置为接收第一输入信号和第二输入信号并比较第一输入信号第二输入信号；以及，

第二信号产生单元，被配置为根据第二比较单元的输出信号产生第二促进信号。

11.根据权利要求10所述的电路，其中，

上拉单元包括PMOS晶体管；以及，

下拉单元包括NMOS晶体管。

12.根据权利要求11所述的电路，其中，

第二比较单元，包括被配置为用于差分放大的一对PMOS晶体管，所述一对晶体管中第一输入信号和第二输入信号被提供给各自的栅极；以及，

第二比较单元的输出信号被提供给所述一对PMOS晶体管中被提供第二输入信号的晶体管的漏极。

13.根据权利要求12所述的电路，其中，第二信号产生单元包括：

第一NMOS晶体管，被配置为基于第二偏置信号执行电流镜操作；

第二NMOS晶体管，连接到第一NMOS晶体管并被配置为基于第二比较单元的输出信号产生第二促进信号，

其中，第二信号产生单元，还被配置为将第二促进信号提供给上拉单元的上拉晶体管。

14.根据权利要求5所述的电路，其中，第一比较器还包括第一控制器，所述第一控制器被配置为在第一比较单元产生第一促进信号之后停止第一比较单元的操作。